![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Интегральные схемы микроэлектроники ⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 4
Существенные изменения в полупроводниковой технике связа-ны, во-первых, с переходом к интегральным микросхемам (ИМС) и, во-вторых, с переходом к большим интегральным микросхемам (БИС). Интегральной называют микросхему с определенным функцио-нальным назначением, изготовленную не сборкой и распайкой отдельных пассивных и активных элементов, а целиком, в едином технологическом процессе. Интегральная схема может быть изготов-лена так, что в объеме одного кристалла полупроводника формиру-ются все ее активные и пассивные элементы. Такая микросхема называется полупроводниковой. Существует технология, при которой в едином корпусе на подложке помещаются отдельные (дискретные) полупроводниковые кристаллы, на которых выполнены активные элементы. Их выводы подключаются к схеме, содержащей пассивные элементы, выполненные по пленочной технологии. Микросхемы, изготовленные таким способом, называются гибрид- ными. Гибридные микросхемы могут содержать в себе несколько полупроводниковых микросхем, объединенных в общем корпусе в единый функциональный узел. Показатель сложности микросхемы характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Большие интегральные схемы также изготавливают в объеме одного кристалла. Они характеризуются большой сложностью и служат в качестве отдельных блоков электронной аппаратуры. Полупроводниковые интегральные микросхемы. Полупроводниковые интегральные микросхемы изготавливают на одном кристалле введением легирующих примесей в определенные микрообласти. Современные технологии позволяют создавать в поверхностном объеме кристалла весь набор активных и пассивных элементов, а также межэлементные соединения в соответствии с топологией схемы. В основу классификации ИМС могут быть положены различные признаки. Одним из таких признаков служит технология изготовления. В зависимости от технологии различают гибридные и полупровод-никовые ИМС. В свою очередь, гибридные ИМС делят на толсто-пленочные и тонкопленочные, а в группе полупроводниковых ИМС выделяют подгруппу совмещенных интегральных ИМС. Признаком классификации интегральных микросхем является также уровень интеграции. По этому признаку выделяют ИМС с малой степенью интеграции (от 1 до 10 логических элементов); со средней степенью интеграции (от 10 до 100 логических элемен' тов); с высокой степенью интеграции, или большие интегральные схемы БИС с количеством логических элементов, превышающим 100. Один логический элемент содержит до восьми схемных ком- понентов. Еще одним классификационным признаком служит назначе- ние ИМС, по которому их делят на логические и линейные. Малые габариты и массы, большая надежность, высокая стабиль- ность и воспроизводимость параметров, низкий уровень собствен- ных шумов, малое потребление энергии позволяют применять ИМС во многих областях техники.
|