Порядок выполнения работы. Измерение семейства вольт амперных характеристик производится автоматически помощью блока характериографа Я4С-92 осциллографа С1-122А. Убедитесь в

Измерение семейства вольт амперных характеристик производится автоматически помощью блока характериографа Я4С-92 осциллографа С1-122А.

1. Убедитесь в правильности установки масштаба:
1. по оси коллекторных напряжений (метки в верхней части экрана 2V/дел., ручка U_c, U_d, V, деление в положении 2).
2. Масштаб измерения по оси токов 500 мкА/дел. (ручка I_c, I_d, / деление в положении 0.5 мА)
3. Значения базовых токов 50 мкА (ручка I_b, U_g ступ.)
2. После подключения адаптера 3 к нижнему гнезду характереографа получите и зарисуйте изображение ВАХ, отметив масштабы осей на рисунке.
3. Выведите ручку плавной регулировки U_c, U_d, V в крайне левое положение. Установить масштаб по оси напряжений 200mV/дел.
4. Присоедините вывод базы транзистора к гнезду коллектора " С" в адаптере 3. На экране появится входная ВАХ, зарисуйте ее.
5. Рассчитайте h-параметры для схемы с общей базой по формулам (6), используя численные из зарисованных графиков
6. Произведите перерасчет h -параметров для включения транзистора по схеме с общей базой (7).

Отчет по работе должен содержать:

• схему для измерения характеристик транзистора;
• таблицы результатов измерений;
• графики входных, выходных и переходных характеристик транзистора;
• расчеты h-параметров системы: h₁₁, h₂₁, h₂₂ в режиме U_к=-5 В, I_к=1 мА.
• расчет h-параметров для схемы с ОБ и сравнение их со справочными данными в режиме U_к=-5 В, I_к=1 мА.

Справочные данные транзисторов МП25А и МП39

Контрольные вопросы

1. Как обозначаются биполярные транзисторы на схемах?

2. Как называются электроды биполярного транзистора?

3. Какими преимуществами обладают биполярные транзисторы по сравнению полевыми?

4. Почему полевой транзистор имеет второе название-канальный?

5. Какие полупроводниковые материалы используют для изготовления биполярных транзисторов?

Ответы

1.

2. Электроды транзистора

3. Входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 1010…1014 Ом (у полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом 107…109), что является преимуществом при построении высокоточных устройств.

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе — входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления, что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов. В-третьих, полевые транзисторы могут обладать низким уровнем шума (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора может быть отделён от поверхности полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов.

4. В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильнолегированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0, 1 мкм) диэлектрика.

5. Кремний, германий, арсенид галлия, арсенид кремния и д.р.