![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Многопортовая память.
В отличие от статического элемента обычного ОЗУ (рис.2, а) элементарная ячейка двухпортовой памяти реализована на шести транзисторах (рис.2, б). Основу ячейки составляет статический триггер, выполненный на транзисторах Q1, Q2. Ключевыми транзисторами Q3, Q4 триггер соединен с разрядными шинами P_L, P'_L, а ключевыми транзисторами Q5, Q6 - с разрядными шинами P_R, P'_R. По этим шинам к триггеру подводится при записи и отводится при считывании информация. Ключевые транзисторы затворами соединены с шинами выбора строки ROW SELECT_L и ROW SELECT_R соответственно. При возбуждении строки одним из сигналов выборки ключевые транзисторы открываются и подключают входы-выходы триггера к разрядным шинам.
Рис. 2 Статический элемент обычного (а) и двухпортового (б) ОЗУ Основными областями применения синхронной двухпортовой памяти являются вычислительные сети (ATM и Ethernet коммутаторы/маршрутизаторы) и беспроводная телефония (базовые станции). Микросхемы двухпортовой памяти с переключаемыми банками предназначены для применения в системах цифровой обработки изображений, системах промышленной автоматики и периферийных контроллерах. К областям применения памяти SARAM также относится оборудование для сетей передачи данных (мосты, маршрутизаторы, фреймеры и др.) [1].
|