Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Зняття стокових характеристик польового транзистора
II. ВИКОНАННЯ РОБОТИ План роботи 1. Зборка і випробування схеми. 2. Зняття стокових характеристик польового транзистора при . 3. Зняття стоко-затворної характеристики польового транзистора при при . 4. Побудова стокових і стоко-затворной характеристик польового транзистора. 5. Визначення параметрів польового транзистора по стоковій характеристиці: 6. а) напруги насичення ; 7. б) струму насичення ; 8. в) вихідного диференціального опору . 9. Визначення параметрів польового транзистора за стоко-затворною характеристикою: 10. а) крутості характеристики ; 11. б) напруги відсічення . Зборка і випробування схеми Досліджуваний польовий транзистор, джерела живлення, вимірювальні прилади і потенціометри з'єднують за схемою рис.5. Після перевірки приступають до випробування схеми. Для цього потенціометром R 1 установлюють напругу на ділянці затвор-витік приблизно 0, 5 В, а потенціометром R 2 змінюють напругу між стоком і витоком від 0 до -4-10В. Спостерігаючи, як змінюється струм стоку, переконуються у можливості зняття стокової характеристики. Рис. 5. Схема дослідження польового транзистора
Можливість зняття стоко-затворної характеристики перевіряють, подаючи на стік напругу -4-10В. Підтримуючи цю напругу постійною, змінюють напругу між затвором і витоком від 0В до значення напруги, що відповідає напрузі відсічення і стежать, як змінюється струм стоку. Зняття стокових характеристик польового транзистора при Перед зняттям характеристик заготовлюють таблицю спостережень (табл. 1). Стокові характеристики польового транзистора знімають для 4-5 значень напруги затвора. Величини напруг затвора залежать від типу досліджуваного транзистора і лежать у межах 0 - 10 В. Напругу стоку змінюють у процесі зняття характеристики через 1-2 В потенціометром R 2. Таблиця 1 при
|