![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Замещения биполярного транзистора
Наиболее полно статические параметры биполярного транзистора описываются входной ВАХ и семейством выходных характеристик. Входная ВАХ транзистора
Рис.1.4. Выходные характеристики биполярного транзистора: 1 – зона насыщения; 2 – активная зона; 3 – зона отсечки __________________________________________________________
На семействе выходных характеристик транзистора можно выделить три зоны: 1 – зона насыщения, в которой транзистор полностью открыт и его напряжение коллектор-эмиттер минимально; 2 – активная зона, в которой ток коллектора пропорционален току базы; 3 – зона отсечки, когда транзистор полностью закрыт, а его коллекторный ток минимален. Так как характеристики ПП приборов не линейны, то при аналитических расчетах используются дифференциальные параметры. Дифференциальные параметры определяются как производные в конкретных точках характеристик. Рис.1.5 иллюстрирует методику определения дифференциального сопротивления. Дифференциальное входное сопротивление транзистора определяется по входной ВАХ транзистора как отношение приращения напряжения к приращению тока для касательной, проведенной через точку А, в которой определяется это сопротивление. Аналогично определяется любое дифференциальное сопротивление.
Рис.1.5. Методика определения входного сопротивления транзистора ___________________________________________________
Входное дифференциальное сопротивление транзистора равно
Из рис.1.4. видно, что в активной зоне транзистор ведет себя как источник тока, управляемый базовым током, поэтому основным параметром транзистора является коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером
Определение Рис.1.6. Схемы замещения транзистора: а) – полная схема замещения; б) – упрощенная схема замещения; rK, rБ, rЭ – коллекторное, базовое и эмиттерное дифференциальные сопротивления транзистора; СК, СБЭ – емкости переходов коллектор-база и база-эмиттер;
Для сопротивлений выполняется соотношение
ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЯ Таблица 1.6 Варианты исследуемых элементов
|