![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Гальваническое влияние по контурам заземления
На рис. 3.9, а показаны два прибора При этом предполагается, что полное сопротивление линии Если Zs» ZQ, то Мероприятия по снижению влияния по цепям заземления заключаются в снижении разности потенциалов U12 за счет уменьшения сопротивления между точками 1 и 2 (рис. 3.9.). Рис. 3.9. Гальваническое влияние через замкнутую петлю заземления: а - схема устройства; б – схема, поясняющая формирование напряжения помехи
Это достигается, например, выполнением пола в виде проводящей эквипотенциальной поверхности F (рис. 3.10, а), соединение приборов массивными проводниками РА (рис. 3.10, б) или же экранированием сигнальных линий с заземлением экранов
Рис. 3.10. Снижение гальванического влияния при помощи заземленной плоскости (а) или массивного проводника РА, соединяющего точки заземлений приборов G1 и G2 (б) у обоих концов, а также уменьшением тока Ist. Для этого существует ряд возможностей. Одной из них является| разделение контуров заземления, например прибора G1 (рис. 3.11, а). Однако при этом между сигнальным контуром и корпусом прибора остается емкостная связь Zc. В 3.11. Гальваническое влияние через разомкнутую петлю заземлений: а - схема устройства; б - схема, поясняющая формирование напряжений помехи этом случае (рис. 3.11) возникает напряжение помехи
При
|