Задание на лабораторную работу. № варианта Амплитуда, мВ

Контрольные вопросы

1. Режимы работы транзистора в усилительных каскадах.

2. В каких схемах происходит, а в каких нет, усиление по току, напряжению, мощности?

3. Как влияет величина коллекторного напряжения на усилительные свойства транзистора?

Лабораторная работа № 7.

Исследование транзисторных ключей

Транзисторные ключи выполняются на биполярных или полевых транзисторах. Ключи на биполярных транзисторах делятся на насыщенные и ненасыщенные.

При анализе транзисторных ключей рассматривают два режима - статический и динамический. В статическом режиме анализируется закрытое и открытое состояние ключа.

Закрытое состояние ключа

В закрытом состоянии ключа на его входе присутствует низкий уровень напряжения (сигнал ло­гического нуля), при котором оба перехода смещены в обратном направлении (ре­жим отсечки). При этом коллекторный ток обусловлен только тепловым током.

При использовании ключа в логических интегральных схемах, в которых обычно применяются транзисторы типа n-р-n, запирающее напряжение положительно, и в этом случае имеет место только " условное" запирание транзистора, когда его эмиттерный переход смещен в прямом направлении; однако уровень действую­щего на его входе напряжения меньше порогового уровня, равного около 0.6 В, и коллекторный ток транзистора относительно мал, т. е. составляет лишь единицы процентов от тока открытого транзистора.

Открытое состояние ключа

В открытом состоянии ключа на его входе присутствует высокий уровень напряжения (сигнал логической единицы). При этом возможны два режима работы открытого транзистора — работа в линейной области выходной характеристики или в области насыщения.

В активной области эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном, при этом для кремниевых транзисторов напряжение на эмиттерном переходе составляет около 0.7 В, и коллекторный ток практически линейно зависит от тока базы.

В области насыщения оба перехода транзистора смещены в прямом направле­нии и изменение тока базы не приводит к изменению коллекторного тока. Для крем­ниевых транзисторов ИС напряжение на смещенном в прямом направлении р-n переходе составляет около 0.8 В, для германиевых оно равно 0.2...0.4 В.