![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯСтр 1 из 2Следующая ⇒
Лабораторно-практическая работа № 2 по предмету «Электроника и импульсная техника» Тема: «Исследование полупроводниковых диодов» Цель: - научиться применять знания, полученные при изучении дисциплины; - приобрести навыки сборки лабораторных схем для изучения режимов работы диодов с последующим расчетом, анализом и экспериментальным определением параметров; - воспитать у студентов целеустремленность при изучении учебного материала в течение всего учебного года. Оборудование: методические и справочные материалы, индивидуальное задание.
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ Лабораторно-практическая работа предназначена для усвоения (закрепления) материала теоретических занятий, развития практических умений. Выполнение практической работы включает этапы: изучение исходных данных; выполнение работы; оформление материалов; защита работы.
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Выпрямительные диоды имеют одностороннюю проводимость тока за счет применения полупроводниковой структуры с двумя слоями. Один обладает дырочной p электропроводностью (основные носители заряда дырки), а другой — электронной n (основные носители заряда электроны) электропроводностью. На участке раздела p и n -слоев, образуется электронно-дырочный переход (p - п переход). Это область, обедненная носителями зарядов. На ее границах появляется контактная разница потенциалов. Внешнее напряжение, в зависимости от полярности, может или открыть переход, или увеличить разницу потенциалов, препятствуя прохождению основных носителей зарядов. Выпрямительные свойства полупроводникового диода и его вольтамперная характеристика связаны с процессами в p - п переходе при подключении внешнего напряжения. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода приведена на рис. 1, а.
Прямой ток диода создается основными, а обратный – неосновными носителями заряда. Концентрация основных носителей заряда многократно превышает концентрацию неосновных носителей. Этим объясняются выпрямительные свойства диода. Диод открывается, если на анод (А) подать положительное напряжение, или на катод (К) – отрицательное. В электрических схемах обозначение «А», «К» не применяется. При больших обратных напряжениях увеличивается термогенерация носителей в p-n переходе, возрастает обратный ток, что ведет к повышению температуры и тепловому пробою перехода. Процесс развивается лавинообразно, т.к. повышение температуры еще больше увеличивает обратный ток. Прямой и обратный токи через диод можно определить из выражений:
где: U – напряжение источника питания; U ПР – напряжение на диоде в прямом направлении; U ОБР – напряжение на диоде в обратном направлении.
|