![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Задача 2.1.34.
Исходные данные: Сопротивление R1 =20 кОм. Сопротивление R2 = 10 кОм. Сопротивление R3 = 1 кОм. Коэффициент передачи тока β =60. Напряжение источника Ек = 15 В. Напряжение источника Е = -3 В. Напряжение порога Unop = 0, 6 В. Обратный ток IК0 = 2мкА. Рассчитать, при каких напряжениях UВХ транзистор в схеме, приведенной на рис. 2.9, будет находиться: а) в режиме насыщения; б) в режиме отсечки; в) в активном режиме.
Рис. 2.9 Решение: По исходным данным таблицы 8 определим тип транзистора р-n-р, т.к. на коллектор подается отрицательное напряжение Ек = -15 В относительно заземленного эмиттера, и материал изготовления транзистора – кремний, т.к. Unop = 0, 6 В. 1) Для режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение UВХ, при котором будет протекать ток:
Условие насыщения транзистора:
для рассматриваемой схемы можно записать в виде:
откуда получим:
2) Для режима отсечки необходимо обеспечить напряжение на базе:
где UПОР – пороговое напряжение транзистора (для германиевых транзисторов Условие отсечки для n-p-n транзисторов:
Условие отсечки для p-n-p транзисторов:
Условие отсечки транзистора перепишем в виде:
откуда следует:
3) Условие активного режима:
Ответ: транзистор работает в режиме насыщения при
|