Лабораторная работа № 2. Моделирование во временной области усилителя на биполярном транзисторе

2.1. Цель работы.

Студент должен получить навыки моделирования во временной области в пакете OrCAD.

2.2. Задание.

2.2.1. Создать новый проект по пунктам 1.2.1....1.2.4. лабораторной работы № 1 в подпапке lab2, добавив библиотеку BIPOLAR.

2.2.2. Установить на поле элементы для схемы, приведенной на рис. 2.1.

Рис. 2.1. Принципиальная схема анализируемого усилителя

Транзистор MRH80N/–55C выбрать из библиотеки BIPOLAR (рис. 2.2).

Рис. 2.2. Выбор транзистора

Для анализа во временной области необходимо выбрать источник VSIN из библиотеки SOURCE (рис. 2.3).

Рис. 2.3. К выбору источника сигнала

2.2.3. Нажимая кнопку «», соединить элементы в схему.

2.2.4. Для источника VSIN установить постоянное смещение, равное 0 (VOFF= 0), – амплитуду сигнала 8В (VAMPL= 8) и частоту 200 МГц (FREQ   =  200MEG). Необходимые значения элементов устанавливаются при двойном нажатии левой кнопкой «мыши» по значению элемента.

Нажимая кнопки «» и «», установить датчики измерения тока базы, тока коллектора, а также напряжения на базе.

2.2.5. Нажать (рис. 2.4) Pspice®New Simulation Profile.

Рис. 2.4. Меню анализа

2.2.6. Установить тип анализа Time Domain (Transient) (рис. 2.5) и диапазон времен анализа 1000ns, а также максимальный шаг (Maximum step size) 0.1ns. Обратите внимание в записи 0.1ns разделителем является точка, а не запятая. В противном случае анализ выполнен не будет.

Рис. 2.5. Диалог параметров анализа

Нажать ОК или Enter и получить графики токов и напряжений (рис. 2.6). Графики в OrCAD получаются цветными (цвет соответствует цвету датчика) на черном фоне. На рис. 2.6 показаны графики в инвертированном виде.

Рис. 2.6. Графики токов и напряжений в схеме

2.2.7. Для более подробного анализа графиков следует, нажав кнопку «» на панели команд (рис. 2.7), выбрать участок, когда переходные процессы закончены (рис. 2.8).

Рис. 2.7. Панели команд

Рис. 2.8. Графики токов и напряжений после окончания переходных процессов