![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Порядок виконання роботи. 1. Встановити на стенд схему №6
1. Встановити на стенд схему №6. Зібрати схему для дослідження характеристик транзистора зі СЕ (Рис. 3.5).
Рис. 3.5. Схема для дослідження характеристик транзистора зі СЕ
При цьому для дослідження вхідних характеристик транзистора гнізда „+” і „− ” міліамперметра РА1 з’єднати з відповідними гніздами входу АВМ1 стенда; гнізда „+” і „− ” вольтметра РV1 — з виходами „+” і „− ” АВМ2 стенда. Для вимірювання напруги на колекторі транзистора и КЕ (вольтметр РV2) встановити перемикач приладу „Вимірювач виходу” (ВВ) в положення „25 В ГН2”. Примітка: Тумблер „ЧМ - ГНЧ” приладу (ВВ) потрібно встановити в положення „ГНЧ”. При цьому вольтметр приладу ВВ (зі шкалою 25 В) буде підключений до гнізда РV2 (UКЕ). Гнізда „+” і „− ” ГС з’єднати з відповідними гніздами генератора струму (ГС) стенда, а гнізда „+” і „− ” ГН2 — з відповідними гніздами генератора напруги ГН2 стенда. В гнізда V1 встановити германієвий транзистор МП40 (МП26). Гнізда „+” і „− ” міліамперметра РА2 замкнути перемичкою (при дослідженні вхідних характеристик цей прилад не використовується). 2. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. 3. Після перевірки викладачем правильності зібраної схеми ввімкнути живлення стенда (тумблер „Мережа”). 4. Зняти вхідні характеристики транзистора Таблиця 1 Вхідні характеристики транзистора при
Таблиця 2 Вхідні характеристики транзистора при
5. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда. 6. Підготувати схему для дослідження вихідних характеристик транзистора. Для цього зняти перемичку з приладу РА2. Зняти провідники, які з’єднують вольтметр РV1 і прилад АВМ2. З’єднати гнізда „+” і „− ” міліамперметра РА2 з відповідними гніздами приладу АВМ2. При цьому перемикач границь вимірювання приладу АВМ2 встановити в положення „5 мА ”. 7. Ввімкнути живлення стенда. 8. Зняти вихідні характеристики транзистора Таблиця 3 Вихідні характеристики транзистора при
9. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерела ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда.
вхідний опір транзистора при коефіцієнт передачі (коефіцієнт підсилення) за струмом при вихідна провідність транзистора при
Рис. 3.6. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора Висновок: вивчили устрій, характеристики і параметри біполярних транзисторів в основних схемах включення, взаємозв’язки цих характеристик і параметрів; набули навикчок розрахунків параметрів транзистора за його статистичними характеристиками.
|