Порядок виконання роботи. 1. Встановити на стенд схему №6

1. Встановити на стенд схему №6. Зібрати схему для дослідження хара­ктеристик транзистора зі СЕ (Рис. 3.5).

Рис. 3.5. Схема для дослідження хара­ктеристик транзистора зі СЕ

При цьому для дослідження вхідних характеристик транзистора гнізда „+” і „− ” міліамперметра РА1 з’єднати з відповідними гніздами входу АВМ1 стенда; гнізда „+” і „− ” вольтметра РV1 — з виходами „+” і „− ” АВМ2 стенда. Для вимірювання напруги на колекторі транзистора и КЕ (вольтметр РV2) встановити перемикач приладу „Вимірювач виходу” (ВВ) в положення „25 В ГН2”.

Примітка: Тумблер „ЧМ - ГНЧ” приладу (ВВ) потрібно встановити в положення „ГНЧ”. При цьому вольтметр приладу ВВ (зі шкалою 25 В) буде підключений до гнізда РV2 (U_КЕ).

Гнізда „+” і „− ” ГС з’єднати з відповідними гніздами генератора струму (ГС) стенда, а гнізда „+” і „− ” ГН2 — з відповідними гніздами генератора напруги ГН2 стенда. В гнізда V1 встановити германієвий транзистор МП40 (МП26). Гнізда „+” і „− ” міліамперметра РА2 замкнути перемичкою (при дослідженні вхідних характеристик цей прилад не використо­вується).

2. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення.

3. Після перевірки викладачем правильності зібраної схеми ввімкнути жи­влення стенда (тумблер „Мережа”).

4. Зняти вхідні характеристики транзистора при при двох значеннях U_КЕ: 0 В і − 10 В). Для цього переконайтесь, що відповідний вольтметр показує напругу U_КЕ близьку до нуля. Потенціометрами „Грубо” і „Точно” ГС встановлювати по міліамперметру РА1 струм бази в межах 0...0, 1 мА. Для кожного значення І_Б по відповідно­му вольтметру визначати напругу U_БЕ. Дані вимірювання занести в табл. 1. По вольтметру приладу ВВ потенціометрами „Грубо” і „Точно” ГН2 встановити напругу і повторити вимірювання, як наведено вище. Дані вимірювання занести в табл. 2.

Таблиця 1

Вхідні характеристики транзистора при

Таблиця 2

Вхідні характеристики транзистора при

5. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда.

6. Підготувати схему для дослідження вихідних характеристик транзисто­ра. Для цього зняти перемичку з приладу РА2. Зняти провідники, які з’єднують вольтметр РV1 і прилад АВМ2. З’єднати гнізда „+” і „− ” мілі­амперметра РА2 з відповідними гніздами приладу АВМ2. При цьому пе­ремикач границь вимірювання приладу АВМ2 встановити в положення „5 мА ”.

7. Ввімкнути живлення стенда.

8. Зняти вихідні характеристики транзистора при Для цього потенціометрами „Грубо” і „Точно” генератора струму (ГС) по приладу АВМ1 (перемикач границь вимірювання — в положення, 0, 5 мА) встановити струм бази По вольтметру приладу ВВ по­тенціометрами „Грубо” і „Точно” ГН2 послідовно встановити значення U_КЕ від 0 до − 12 В з кроком 1..2 В. Для кожного значення U_КЕ по приладу АВМ2 визначити значення струму колектора І_К. Дані вимірювання занести в табл. 3. Повторити вказані вище вимірювання струму колек­тора І_К при струму бази і Дані занести в табл. 3.

Таблиця 3

Вихідні характеристики транзистора при

	UКЕ, В
	ІК, мА		1, 03	1, 07	1, 14	1, 21	1, 24	1, 3	1, 35
	ІК, мА		2, 03	2, 11	2, 25	2, 37	2, 49	2, 6	2, 72
	ІК, мА		3, 08	3, 21	3, 41	3, 61	3, 79	3, 99	4, 19

9. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерела ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда.

10. По даним таблиць 1—3 побудувати графіки вхідних і вихідних характеристик транзистора в схемі з СЕ. Визначити h -параметри транзи­стора по його вольт-амперним характеристикам.

вхідний опір транзистора при —

коефіцієнт передачі (коефіцієнт підсилення) за струмом при —

вихідна провідність транзистора при —

Рис. 3.6. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора

Висновок: вивчили устрій, характеристики і параметри біпо­лярних транзисторів в основних схемах включення, взаємозв’язки цих ха­рактеристик і параметрів; набули навикчок розрахунків параметрів транзис­тора за його статистичними характеристиками.