Введение. Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования

«Ижевский государственный технический университет

имени М. Т. Калашникова»

Кафедра «Электротехника»

Расчетно-графическая работа № 3

на тему:

«Определение h-параметров биполярного транзистора»

Вариант № 50

Выполнил: студент гр. Б03-711-2зт Гаврилов Н.В.

Проверил: К.Э.Н. Доцент Хафизова Н.Ф.

ИЖЕВСК 2016

Содержание:

Введение…………………………………………………………………………..

1 Задание…………………………………………………………………………..

2 Описание транзистора……………………………………………………………

2.1 Общие сведения………………………………………………………………..

2.2 Характеристики транзистора ГТ308В………………………………………….

2.3 Область применения……………………………………………………………….

3 Свойства p-n перехода………………………………………………………………….

3.1 h параметры транзистора…………………………………………………………..

3.2 p-n переход…………………………………………………………………………

4 Определение параметров рабочей точки с помощью графиков ВАХ……………….

4.1 Входные характеристики…………………………………………………………

4.2 Выходные характеристики…………………………………………………………

Вывод………………………………………………………………………………………..

Список использованной литературы……………………………………………………...

Приложение А…………………………………………………………………………….

Введение

Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое-же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника. Как самостоятельное направление науки и техники электроника сформировалась благодаря электронной лампе. Сначала появились радиосвязь, радиовещание, радиолокация, телевидение, затем электронные системы управления, вычислительная техника и т.п. Но электронная лампа имеет неустранимые недостатки: большие габариты, высокое энергопотребление, большое время вхождения в рабочий режим, низкую надежность. В результате через 2-3 десятка лет существования ламповая электроника во многих применениях подошла к пределу своих возможностей. Требовалась более компактная, экономичная и надежная замена. И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Его создание справедливо считают одним из величайших достижений научно-технической мысли двадцатого столетия, коренным образом изменившим мир [1].

Без транзисторов не обходится не одно предприятие, которое выпускает электронику. На транзисторах основана вся современная электроника. Их широко применяют в теле, радио и компьютерных аппаратурах.

Изучение параметров и характеристик транзистора является важной частью освоения Электроники. Транзисторы обладают рядом различных характеристик, определение и знание которых необходимо для проектирования электронной аппаратуры. В данной работе будет рассмотрен биполярный транзистор ГТ308В, его характеристики, применяемость, свойства p-n переходов, а также расчет h параметров для заданной рабочей точки.