Выходные характеристики

Для расчета выходных характеристик воспользуемся графиком ВАХ из справочника [3]. Скопируем график на миллиметровую бумагу, изменив масштаб по оси абсцисс, растянув его для наглядности расчетов (рисунок А.2).

Найдем и отметим рабочую точку на графике, для этого проведем перпендикуляр из точки оси абсцисс со значением 4В. Точка А будет расположена на пересечении перпендикулярной прямой и ветвью графика I = 200мкА.

Найдем h₂₁ по формуле (4). Для этого сначала найдем приращения тока коллектора и тока базы. Отметим точки В и С на пересечении вспомогательной прямой и ветвей графика I_к = 150 мкА и I_к = 250 мкА. Опустим из них перпендикуляры на ось ординат и получим значения I'_к и I''_к. I'_б и I''_б – это значения токов ветвей графика равные 150 мкА и 250 мкА соответственно. Подставим полученные значения в формулу (4), учитывая их размерности.

h₂₁ = = 316.6

Найдем h₂₂ по формуле (5). Отметим на ветви графика I_б =200мкА две точки D и E справа и слева от точки А. Опустим перпендикуляры из этих точек на ось абсцисс и получим значения напряжений нужные для нахождения Δ U_кэ. Теперь опустим перпендикуляры из этих точек на ось ординат и получим значения токов нужные для нахождения Δ I_к.

I''_к = 33.33мА, I'_к = 32мА, U''_кэ = 5.1В, U'_кэ = 3В. Подставим значения в формулу.

h₂₂ = = 0.0006333

Вывод

В ходе выполнения работы были рассмотрены основные параметры биполярного транзистора, разобраны принципы его работы, изучены свойства p-n переходов, значения h параметров и их физический смысл. Также был получен навык нахождения h параметров биполярного транзистора по его вольт-амперным характеристикам. Для транзистора ГТ308В и заданной рабочей точки А(U_к = 4В; I_б = 200мкК), были получены следующие h параметры:

Входное сопротивлениеh₁₁ = 350.5Ом,

Коэффициент обратной связи h₁₂ = 0.041В,

Коэффициент передачи тока h₂₁ = 316.6,

Выходная проводимость h₂₂ = 0.0006333.

Список использованной литературы

1. Малашевич Б. М. 60 лет транзистору //Виртуальный компьютерный музей. URL: // https://www.computer-museum.ru/technlgy/tranzistor_60.htm/ (дата обращения: 23.02.2016).

2. Ангельский Р.Д. Отечественные противотанковые комплексы, – М.: ООО «Издательство Астрель», 2002. 192с.

3. Горюнов Н.Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник: под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, – М.: Энергоатомиздат, 1985. 904с.

4. Касаткин А.С. Основы электротехники, – М.: Высшая школа, 1975, 304 с.