![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Волна Де Бройля. Квантовое ограничение. Квантовые точки.
Во́ лны де Бро́ йля — волны вероятности, определяющие плотность вероятности обнаружения объекта в заданной точке конфигурационного пространства. В соответствии с принятой терминологией говорят, что волны де Бройля связаны с любыми частицами и отражают их волновую природу.Для частиц не очень высокой энергии, движущихся со скоростью Ограничение движения электронов (дырок) в низкоразмерной структуре, приводящее (вследствие их квантово-волновой природы) к ненулевому минимальному значению их энергии и к дискретности энергий разрешенных состояний, называют квантовым ограничением. В твердых телах квантовое ограничение может быть реализовано в трех пространственных направлениях. Количество направлений, в которых эффектквантового ограничения отсутствует, используется в качестве критерия дляклассификации элементарных низкоразмерных структур по трем группам: квантовые пленки (ямы), квантовые шнуры (проволоки, нити) и квантовыеточки. Квантовые точки (КТ) – это нуль-мерные (0D) структуры, в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. В каждом из этих направлений энергия электрона оказывается квантованной в соответствии с формулой Из-за сходства энергетических характеристик атомов и квантовых точек последние иногда называют искусственными атомами. Квантовые точки состоят из сравнительно небольшого количества атомов. В этом отношении кним близки атомные кластеры и нанокристаллиты, где также имеет место эффект квантового ограничения. Для изготовления низкоразмерных структур используют два принципиальных подхода, которые можно охарактеризовать как геометрический иэлектронный. Геометрический подход предполагает применение технологий, обеспечивающих формирование объектов с нанометровыми размерами.Электронный подход основан на возможности управления размерами областей с определеннымтипом и концентрацией носителей заряда в полупроводниках посредствомэлектрического поля.
|