Гетероструктуры. Энергетическая диаграмма ДГС. Основные требования, предъявляемые к гетероструктурам. Методы изготовления гетероструктур.

Гетеропереходом называется контакт двух полупроводников с разной шириной запрещенной зоны, в отличие от р-n-перехода, где контактируют две области одного полупроводника, только с разными внедренными примесными атомами. В гетероструктуреможет быть последовательно объединено несколько гетеропереходов.Слои полупроводников в гетероструктуре должны быть достаточно тонкими и обладать правильной кристаллической решеткой для обеспечения высоких электрических параметров.

Требования к гетероструктурам. Для обеспечения правильности и плавности перехода необходимо, чтобы тип кристаллической решетки был одинаков и постоянные решетки у обоих полупроводников были как можно ближе. При контакте двух полупроводников с разной шириной запрещенной зоны происходит выравнивание уровней Ферми. Толщина квантовой ямы не должна превышать длину свободного пробега электронов в ней, т.е. длину волны де Бройля

Для создания качественных гетероструктур используется, как правило, химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) и достаточно медленные и дорогие процессы молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ, MBE).