![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Расчет преобразователя частоты общего назначения
Методика расчета приведена для ПЧ с АИН (см. рис. 17), выполненного с использованием гибридных модулей, состоящих из ключей IGВТ и обратных диодов FWD, смонтированных в одном корпусе на общей теплоотводящей пластине. Расчет инвертора. Максимальный ток через ключи инвертора определяется из выражения:
где Рном — номинальная мощность двигателя, Вт; k1 = 1, 2–1, 5 — коэффициент допустимой кратковременной перегрузки по току, необходимой для обеспечения динамики ЭП; k2= 1, 1 –1, 2 — коэффициент допустимой мгновенной пульсации тока; η ном — номинальный КПД двигателя; Uл — линейное напряжение двигателя, В. Ключи IGBT выбираются с постоянным (номинальным) током коллектора Ic ≥ Ic max. Расчет потерь в инверторе при ШИМ формировании синусоидального тока на выходе заключается в определении составляющих потерь IGBT в проводящем состоянии и при коммутации, а также потерь обратного диода. Потери в IGBT в проводящем состоянии
где Icр = Ic max/ k1 — максимальная амплитуда тока на входе инвертора, A; D = tр/T ≈ 0, 95 — максимальная скважность; cosθ ≈ cosφ — коэффициент мощности; Uce(sat) — прямое падение напряжения на IGBT в насыщенном состоянии при Icр и Тj = 125 °С (типовое значение Uce(sat) = 2, 1—2, 2 В). Потери IGBT при коммутации
где tс(on), tс(off) — продолжительность переходных процессов по цепи коллектора IGBT на открывание tс(on) и закрывание tс(off) транзистора, с (типовое значение tс(on) = 0, 3–0, 4 мкс; tс(off) = 0, 6–0, 7 мкс); Uсс — напряжение на коллекторе IGBT, В (коммутируемое напряжение, равное напряжению звена постоянного тока для системы АИН—ШИМ); fsw — частота коммутаций ключей, Гц (частота ШИМ), обычно от 5000 до 15 000 Гц. Суммарные потери IGBT PQ = PSS + PSW (6) Потери диода в проводящем состоянии
где Iер ≈ Icр — максимальная амплитуда тока через обратный диод, А; Uе — прямое падение напряжения на диоде (в проводящем состоянии) при Iер, В. Потери при восстановлении запирающих свойств диода PDR = (Irr Ucc trr fsw)/8 (8) где Irr — амплитуда обратного тока через диод, А (Irr ≈ Iср); trr. — продолжительность импульса обратного тока, с (типовое значение 0, 2 мкc). Суммарные потери диода PD = PDS + PDR (9) Результирующие потери в IGBT с обратным диодом: PT=PQ + PD = PSS +PSW + PDS + PDR. (10) Найденные результирующие потери являются основой для теплового расчета инвертора, в ходе которого определяются тип и геометрические размеры необходимого охладителя, а также проверяется тепловой режим работы кристаллов IGBT и обратного диода. Максимально допустимое переходное сопротивление охладитель—окружающая среда Rth(f-a), ° С/Вт, в расчете на пару IGBT/FWD (транзистор/обратный диод)
где Та = 45—50 °С — температура охлаждающего воздуха; Тс = 90—110 °С —температура теплопроводящей пластины; РT —суммарная мощность, Вт, рассеиваемая одной парой IGBT/FWD; Rth(c-f) — термическое переходное сопротивление корпус–поверхность теплопроводящей пластины модуля в расчете на одну пару IGBT/FWD, °С/Вт. Температура кристалла IGBT, °С, определяется по формуле Tja=Tc + PQ Rth(j-c)q (12) где Rth(j-c)q — термическое переходное сопротивление кристалл—корпус для IGBT части модуля, °С/Вт. При этом должно выполняться условие Tja < 125 °С. Температура кристалла обратного диода FWD, °С, Tjd=Tc + PDRth(j_c)d, (13) где Rth(j_c)d — термическое переходное сопротивление кристалл—корпус для FWD части модуля, °С/Вт. Должно выполняться условие Тjd < 125 °С. Если Тjd ≥ 125 °С или опасно приближается к этой максимально допустимой температуре кристалла, то нужно улучшить теплоотдачу за счет использования охладителя с меньшим значением сопротивления Rth(f-a), т. е. задавшись меньшей температурой корпуса Тс.
|