![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Расчет выпрямителя.
Среднее выпрямленное напряжение Ud=kc.н Uл, (14) где kc.н — коэффициент схемы для номинальной нагрузки; kc.н = 1, 35 для мостовой трехфазной схемы; kc.н = 0, 9 для мостовой однофазной схемы Максимальное значение среднего выпрямленного тока
где n — количество пар IGBT/FWD в инверторе. Максимальный рабочий ток диода Iν m=kcc Idm (16) где ксс — 1, 045 для мостовой трехфазной схемы при оптимальных параметрах Г-образного LC -фильтра, установленного на выходе выпрямителя; ксс = 1, 57 для мостовой однофазной схемы. Максимальное обратное напряжение диода (для мостовых схем) Uvm = kзн√ 2Uлkснkc + Δ Un (17) где кс≥ 1, 1 — коэффициент допустимого повышения напряжения сети; кзн > 1, 15 — коэффициент запаса по напряжению; Δ Un = 100—150 В — запас на коммутационные выбросы напряжения в звене постоянного тока. Диоды выбираются по постоянному рабочему току (не менее Ivm) и по классу напряжения (не менее Uvm /100). Расчет потерь в выпрямителе для установившегося режима работы ЭП (Id= Idm /k1):
где kcs = 0, 577 для мостовой трехфазной схемы; kcs = 0, 785 для мостовой однофазной схемы; Ron — динамическое сопротивление полупроводникового прибора в проводящем состоянии, Ом; Uj — прямое падение напряжения, В, на полупроводниковом приборе при токе 50 мА (Uj + RonIdm / ki ≤ 1 В для диода или 1, 3 В для тиристора); mv — число полупроводниковых приборов в схеме. Тепловой расчет параметров охладителя выпрямителя следует проводить аналогично приведенному выше расчету для инвертора. Максимально допустимое переходное сопротивление охладитель—окружающая среда в расчете на выпрямитель
где Rth(c-f) — термическое переходное сопротивление корпус—поверхность теплопроводящей пластины модуля, °С/Вт. Если не все полупроводниковые приборы моста размещены в одном модуле, то необходимо PDV привести к числу приборов, расположенных в одном корпусе. Температура кристалла
где Rth(c-f)DV — термическое переходное сопротивление кристалл—корпус для одного полупроводникового прибора модуля, °С/Вт; nD — количество полупроводниковых приборов в модуле. Необходимо, чтобы выполнялось условие: TjDV < 140 °С.
|