Фототранзисторы

Фототранзистор представляет собой трехслойный полупроводниковый прибор с двумя р-п-переходами, обладающий свойством усиления фототока при воздействии лучистой энергии.

Фототранзистор, как правило, выполнен в виде обычного плоскостного транзистора из германия или кремния. Световой поток падает на базу, поэтому эмиттер делают тонким, небольших размеров.

На рис. 17.12 представлена двухполюсная схема включения фототранзистора. Под действием света в области базы образуются пары носителей зарядов — электроны и дырки. Дырки (неосновные носители базы) под действием электрического поля источника E_к движутся через коллекторный переход, образуя фототок I_ф, проходящий через нагрузку R_н. Электроны, не прошедшие через эмиттерный переход и оставшиеся в базе, снижают потенциальный барьер. Это облегчает переход дырок из эмиттера в базу, увеличивая коллекторный фототок. Чувствительность фототранзистора сильно превышает чувствительность фотодиодов и имеет значения порядка 0, 5—1 А/лм.

На рис. 17.13 показана схема с подключенной базой. Возможности такой схемы шире, так как на ее вход можно подавать кроме светового электрический сигнал. Обычно электрический вход используют для выбора рабочей точки на линейном участке характеристики, а также для уменьшения влияния внешних воздействий.

Фототранзисторы широко применяются в различных областях: фототелеграфии, фототелефонии, в вычислительной технике, регистрации видимого, инфракрасного и ультрафиолетового излучения.

Фототиристор с тремя p-n-переходами также имеет два вывода — анодный и катодный. Его ВАХ подобна ВАХ триодного тиристора на рис. 10.28 с той особенностью, что напряжение включения и_вкл зависит от освещенности фототиристора.