Материалы для полевых транзисторов

Использование массивов квантовых точек в качестве проводящих слоев в микроэлектронике весьма перспективно, поскольку возможно использовать простые и дешевые “растворные” технологии нанесения. Однако возможность применения ограничена на настоящий момент чрезвычайно высоким (~1012 Ом*см) сопротивлением слоев из квантовых точек [8]. Одной из причин является большое (конечно по микроскопическим меркам) расстояние между индивидуальными квантовыми точками, которое составляет при использовании стандартных стабилизаторов типа триоктилфосфин оксида или олеиновой кислоты от 1 до 2 нм, что слишком велико для эффективного туннелирования носителей заряда. Однако при использовании в качестве стабилизаторов более короткоцепочечных молекул возможно уменьшить межчастичные расстояния до уровня, приемлемого для туннелирования носителей заряда (~0.2 нм при использовании пиридина или гидразина.

Рис.1.5. Использование квантовых точек в полевых транзисторах.

В 2005 г. К.Мюрреем и Д.Талапиным сообщено о создании тонкопленочного полевого транзистора на основе квантовых точек PbSe с использованием молекул гидразина для пассивации поверхности [9]. Как показано, для создания проводящих слоев перспективными являются халькогениды свинца вследствие высокой диэлектрической проницаемости и высокой плотности состояний в зоне проводимости.