Масочные ПЗУ на основе матрицы биполярных транзисторов

Пример схемы данного ПЗУ представлен на рис. 12.3. Запись информации осуществляется также металлизацией или неметаллизацей участка между базой и адресной линией. Для выбора строки ЗЭ на линию адреса ЛА _i подается логическая 1. При металлизации она подается на базу транзистора, он открывается вследствие разницы потенциалов между эмиттером (земля) и базой (примерно + 5 В). При этом замыкается цепь: + 5 В; сопротивление R _i; открытый транзистор, земля на эмиттере транзистора. В точке D _i при этом будет потенциал, соответствующий падению напряжения на открытом транзисторе – порядка 0, 4 В, т.е. логический 0. Таким образом, в ЗЭ записан ноль. Если участок между линией адреса и базой транзистора не металлизован, указанная электрическая цепь не реализована, падения напряжения на сопротивлении R _i нет, поэтому на соответствующей линии данных D _i будет потенциал +5 В, т.е. логическая 1. При подаче, например, адреса 00₂ в приведенном на рис. 12.3 ПЗУ на ШД появится код 10₂.

увеличить изображение
Рис. 12.3. Схема масочного ПЗУ на основе матрицы биполярных транзисторов

Примеры масочных ПЗУ приведены на рис. 12.4, а в табл. 12.1 – их параметры [1].

увеличить изображение
Рис. 12.4. Функциональные обозначения масочных ПЗУ