Главная страница
Случайная страница
КАТЕГОРИИ:
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Репрограммируемые ПЗУ
Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) делятся на два основные вида:
- на основе МОП-матриц, в которых между металлическим затвором и слоем изолирующего оксида осаждается тонкий слой нитрида кремния. Отсюда и название технологии изготовления МНОП – металл – нитрид – оксид – полупроводник. Этот материал имеет свойство сохранять электрический заряд (положительный или отрицательный в зависимости от материала МОП-матрицы) после подачи на затвор транзистора программирующего импульса. Амплитуда этого импульса в несколько раз превышает напряжение источника питания ПЗУ в рабочем режиме (+ 5 В) и достигает 20
30 В. Длительность программирующего импульса составляет порядка десятков миллисекунд. При отсутствии дополнительных сигналов программирования или при отключении источника питания заряд в слое нитрида кремния будет сохраняться достаточно долго (гарантия порядка 10 лет). Стирание информации в РПЗУ данного вида производится также электрическим путем. Часто допускается возможность не только общего стирания всего объема информации, но и избирательное (пословное) стирание с последующим выполнением пословной записи. Примеры РПЗУ данного типа приведены на рис. 12.7, а в табл. 12.3 – их параметры [1].

Рис. 12.7. Функциональные обозначения РППЗУ с электрическим стиранием информации
Таблица 12.3. Параметры РПЗУ на основе МОП-матриц
| Обозначение БИС
| Технология изготовления
| Информационная емкость, бит
| Время выборки, нс
| К1601РР1
| МНОП
| 1Кx4
| 1, 5
| К505РР1
| ТТЛШ
| 256x8
| 0, 85
| - РПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым (УФ) облучением кристалла. Облучение производится в течение 10
20 минут через прозрачную кварцевую крышку на БИС РПЗУ. Примеры РПЗУ данного типа приведены на рис. 12.8, а в табл. 12.4 – их параметры [1]. 
Рис. 12.8. Функциональные обозначения РППЗУ с ультрафиолетовым стиранием информации
Таблица 12.4. Параметры РПЗУ с УФ-стиранием информации
| Обозначение БИС
| Технология изготовления
| Информационная емкость, бит
| Время выборки, нс
| К573РФ1
| ЛИЗНОП
| 1Кx8
| 0, 45
| К573РФ2
| ЛИЗНОП
| 2Кx8
| 0, 9
|
|