Перечень условных обозначений

F_Н – нижняя частота модуляции,

F_в – верхняя частота модуляции,

d_ЗК – избирательность приемника по зеркальному каналу в децибелах,

D_ЗК – избирательность приемника по зеркальному каналу в разах,

d_ПЧ – избирательность приемника по каналу приема на промежуточной частоте в децибелах,

D_ПЧ – избирательность приемника по каналу приема на промежуточной частоте в разах,

d_СК – избирательность приемника по соседнему каналу в децибелах,

D_СК – избирательность приемника по соседнему каналу в разах,

М – частотные искажения приемника,

М_ПР (d_{И ПР}) – частотные искажения преселектора в децибелах,

D_{И ПР} – частотные искажения преселектора в разах,

М_ПЧ (d_{И ПЧ}) – частотные искажения тракта ПЧ в децибелах,

D_{И ПЧ} – частотные искажения тракта ПЧ в разах,

М_НЧ – частотные искажения тракта звуковой частоты,

Р_ВЫХ – выходная мощность приемника,

f – высокая (текущая) частота,

f_МИН – минимальная частота диапазона,

f_СР – средняя частота диапазона,

f_МАКС - максимальная частота диапазона,

K_f – коэффициент перекрытия по частоте,

f_ЗК – частота зеркального побочного канала приема,

f_ПЧ – промежуточная частота (частота побочного канала приема на промежуточной частоте),

f_СК - частота соседнего канала приема,

f_Г – частота гетеродина,

f_{Г МИН} – минимальная частота гетеродина (соответствует f_МИН),

f_{Г СР} – средняя частота гетеродина (соответствует f_СР),

f_{Г МАКС} – максимальная частота гетеродина (соответствует f_МАКС),

δ f_Г – относительная нестабильность частоты гетеродина,

∆ f_ПР – рассопряжение частот настройки преселектора и гетеродина,

∆ f_{ПР МИН} – рассопряжение частот настройки преселектора и гетеродина на минимальной

частоте диапазона,

∆ f_{ПР МАКС} – рассопряжение частот настройки преселектора и гетеродина на максимальной

частоте диапазона,

С_МИН - минимальная емкость контура преселектора (расчетная величина);

C_МАКС – максимальная емкость контура преселектора (расчетная величина);

∆ С – текущее приращение емкости контура,

∆ С_МАКС – максимальное приращение емкости контура,

С_{Г МИН} - минимальная емкость контура гетеродина (расчетная величина),

С_{Г МАКС} – максимальная емкость контура гетеродина (расчетная величина),

∆ С_Г – текущее приращение емкости контура гетеродина,

∆ С_{Г МАКС} – максимальное приращение емкости контура гетеродина,

С_{МИН КПЕ} - минимальная емкость конденсатора переменной емкости,

C_{МАКС КПЕ} – максимальная емкость конденсатора переменной емкости,

∆ С_КПЕ – текущее приращение емкости конденсатора переменной емкости,

∆ С_{МАКС КПЕ} – максимальное приращение емкости конденсатора переменной емкости,

∆ f – абсолютная расстройка сигнала,

ν - относительная расстройка сигнала,

ν _{И МИН} - относительная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на минималь-

ной частоте настройки,

ν _{И МАКС} - относительная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на максималь-

ной частоте настройки,

ν _{ПЧ МИН} - относительная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

минимальной частоте настройки преселектора,

ν _{ПЧ МАКС} - относительная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

максимальной частоте настройки преселектора,

ν _{ЗК МАКС} - относительная расстройка зеркальногоного канала приема на максимальной частоте настройки преселектора,

ν _{И ПЧ} - относительная расстройка на краях полосы пропускания полосового фильтра тракта ПЧ,

ν _СК - относительная расстройка соседнего канала приема,

ξ - обобщенная расстройка сигнала,

ξ _{И МИН} - обобщенная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на минималь-

ной частоте настройки,

ξ _{И МАКС} - обобщенная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на максималь-

ной частоте настройки,

ξ _{ПЧ МИН} - обобщенная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

минимальной частоте настройки преселектора,

ξ _{ПЧ МАКС} - обобщенная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

максимальной частоте настройки преселектора,

ξ _{ЗК МАКС} - обобщенная расстройка зеркальногоного канала приема на максимальной частоте настройки преселектора,

ξ _{И ПЧ} - обобщенная расстройка на краях полосы пропускания полосового фильтра тракта ПЧ,

ξ _СК - обобщенная расстройка соседнего канала приема,

Q – добротность контура,

Q_Э - эквивалентная добротность контура,

П_МИН – полоса пропускания преселектора на минимальной частоте настройки,

П_МАКС – полоса пропускания преселектора на максимальной частоте настройки,

П_ПЧ – полоса пропускания фильтра сосредоточенной селекции тракта ПЧ,

К_ВХ – коэффициент передачи входной цепи,

К_СМ – коэффициент передачи смесителя,

К_ПЧ – коэффициент усиления тракта ПЧ,

К_ДЕТ – коэффициент передачи детектора,

К_НЧ – коэффициент усиления тракта звуковой частоты,

К_Н – коэффициент неравномерности передачи (усиления) в диапазоне частот,

К_{Ф МИН} - коэффициент передачи полосового фильтра преселектора на минимальной частоте

настройки,

К_{Ф МАКС} - коэффициент передачи полосового фильтра преселектора на максимальной частоте

настройки,

А_МИН- фактор связи полосового фильтра преселектора на минимальной частоте настройки,

А_МАКС- фактор связи полосового фильтра преселектора на максимальной частоте настройки,

А_ПЧ- фактор связи полосового фильтра тракта ПЧ,

U_{m ДЕТ} – амплитуда сигнала на входе детектора,

U_{m ДЕТ} – амплитуда сигнала на входе тракта звуковой частоты (на выходе детектора),

U_{m ДЕТ} – амплитуда сигнала на выходе тракта звуковой частоты,

S_Д – крутизна вольтамперной характеристики диода,

S – крутизна вольтамперной характеристики транзистора,

R_Н – сопротивление нагрузки,

R_ГР – сопротивление громкоговорителя.

1.4.Требования к содержанию раздела 2 “Выбор полупроводниковых приборов”.

1.4.1.Основным критерием при выборе полупроводниковых приборов является рабочая

частота. Остальные параметры оцениваются относительно технических требований к конкретному

узлу, в котором они будут применены.

1.4.2.Выбор диодов.

1.4.2.1.В курсовом проекте диоды применяются при детектировании высокочастотных

модулированных колебаний на промежуточной частоте. Поэтому их рабочая частота должна

быть приблизительно на порядок (в 10 раз) выше промежуточной частоты приемника.

1) их рабочая частота должна быть приблизительно на порядок (в 10 раз) выше промежуточ-

ной частоты приемника;

2) их обратное сопротивление должно быть приблизительно на порядок (в 10 раз) выше

сопротивления нагрузки детектора;

3) их емкость должна быть не более 1, 0 – 1, 5пФ.

Обратное сопротивление диода влияет на входное сопротивление детектора. При малом

обратном сопротивлении в значительной мере уменьшается входное сопротивление детектора,

шунтируя контур выходного каскада тракта ПЧ, что ведет к ухудшению избирательности по сосед-

нему каналу.

Емкость диода влияет на фильтрацию высокочастотной составляющей сигнала промежуточ-

ной частоты в низкочастотном выходном сигнале детектора.Чтобы эта высокочастотная состав-

ляющая сигнала не влияла на качество сигнала на выходе детектора, коэффициент фильтрации не

должен превышать 0, 05. Поэтому емкость диода должна быть не более 1, 0 – 1, 5пФ.

1.4.2.2.Этим требованиям удовлетворяют кремниевые точечные диоды типа Д1, Д2, Д9 и

кремниевый диод 2Д419А с барьером Шоттки, но диод 2Д419А имеет более низкий потенциаль-

ный барьер, чем диоды Д1, Д2, Д9. Поэтому в качестве детекторного диода рекомендуется выб-

рать диод 2Д419А, так как он позволяет уменьшить уровень сигнала на входе детектора, а, следо-

вательно, уменьшить коэффициент усиления тракта приема и повысить его линейность.

1.4.2.3.В пояснительной записке привести обоснование применения диода 2Д419А и его

основные электрические параметры, которые даны в приложении 7.

1.4.3.Выбор транзисторов.

1.4.3.1.В курсовом проекте транзисторы применяются в тракте приема в качестве активных

элементов гетеродина, преобразователя частоты и линейных каскадов усиления

В качестве активных элементов гетеродина рекомендуется применять биполярные транзис-

торы, в качестве активных элементов преобразователя частоты и линейных каскадов усиления – по-

левые транзисторы, так как они имеют более высокое входное сопротивление и меньше шунтируют

контура своим входным сопротивлением, повышая тем самым избирательность приемника.

1.4.3.2.Выбор транзисторов производится по их граничной частоте, которая должна быть

приблизительно на порядок (в 10 раз) выше частоты, на которой работают каскады, в которых они применяются.

1.4.3.3. В пояснительной записке привести обоснование применения выбранных типов

транзисторов и их основные электрические параметры, которые даны в приложении 7.

1.10. Порядок оформления схемы электрической структурной приемника.

1.10.1.Структурная схема отображает принцип работы приемника в общем виде. Поэтому

на схеме изображают основные функциональные узлы и каскады приемника, а также основные

взаимосвязи между ними.Построение схемы должно давать наглядное представление о работе

приемника и взаимодействии его составных частей.Направление сигналов указывают стрелками.

1.10.2.Функциональные узлы и каскады изображают в виде условных графических обозначе-

ний, приведенных в приложении 8. Каждому узлу и каскаду присваивается порядковый номер,

который проставляют на схеме над его условным графическим обозначением, а их названия в соот-

ветствии с порядковыми номерами указывают на поле схемы в таблице (например, над основной

надписью). Порядок присвоения номеров – сверху вниз в направлении слева направо.

1.10.3.Основной размер условных графических обозначений – квадрат со стороной 10мм.

1.10.4.Структурную схему в курсовом проекте выполнить на листе формата А3 или А4 (лучше

на листе формата А3 в масштабе 2: 1.

1.11.Порядок составления и описаниясхемы электрической принципиальной приемника.

1.11.1. Порядок составления схемы электрической принципиальной приемника.

1.11.1.1.Составление схемы электрической принципиальной приемника начать с составле-

ния отдельных схем электрических принципиальных всех функциональных узлов и каскадов в

соответствии со схемой электрической структурной приемника.

1.11.1.2.Нарисовать схемы электрические принципиальные всех функциональных узлов и

каскадов друг за другом в той последовательности, в какой они расположены в схеме электричес-

кой структурной приемника.

1.11.1.3.Соединить между собой цепи питания всех функциональных узлов и каскадов.

1.11.1.4.Соединить входную цепь с антенным разъемом, выход тракта звуковой частоты – с

громкоговорителем.

1.11.1.5.Соединить по переменному току между собой все функциональные узлы и каскады,

т.е. выход предыдущего узла (каскада) соединить со входом последующего узла (каскада).

Если это соединение влияет на режим по постоянному току хотя бы одного из соединяемых

узлов (каскадов), ввести между ними разделительный конденсатор.

1.11.1.6.Проверить правильность составления и оформить схему электрическую принципиаль-

ную приемника в соответствии с требованиями ЕСКД на листе формата А3.

1.11.1.7.К схеме электрической приложить перечень элементов. В перечень элементов

записать только те элементы, которые в данном курсовом проекте были рассчитаны или выбраны

(элементы контуров преселектора и гетеродина, полосовых фильтров или фильтра сосредоточен-

ной селекции тракта ПЧ, транзисторы тракта приема, детекторный диод, микросхему тракта звуко-

вой частоты и все элементы узла или каскада, электрический расчет которого был выполнен).

Перечень элементов оформить в соответствии с требованиями ЕСКД на листе формата А4.

1.11.2. Порядок описаниясхемы электрической принципиальной приемника.

1.11.2.1.Привести составные части приемника, т.е. дать общее представление, из каких функ-

циональных узлов состоит приемник, а затем описать схему электрическую принципиальную каж-

дого из них.

Описание выполнить в такой же последовательности, в какой они расположены в структур-

ной схеме.

1.11.2.2.Если функциональный узел включает в себя только одну составную часть, то сначала

дать ее краткую характеристику, а затем перечислить элементы, из которых она состоит, с указанием

их назначения и позиционного обозначения на схеме электрической принципиальной приемника.

Если функциональный узел включает в себя несколько составных частей (преобразователь

частоты, тракт ПЧ), то сначала перечислить их, указав основной элемент, на котором выполнена

каждая из них(___ выполнен на диоде VD __ или __ на транзисторе VT __), а затем перейти к описа-

нию их схем электрических принципиальных. При описании схемы электрической принципиальной

составной части сначала дать ее краткую характеристику, а затем перечислить элементы, из которых

она состоит, с указанием их назначения и позиционного обозначения на схеме электрической принципиальной приемника.

2.Требования к оформлению пояснительной записки.

2.1.Пояснительную записку выполнить на листах формата А4.

2.2.Текстовой материал пояснительной записки разместить в следующем порядке:

–титульный лист;

–задание на курсовой проект;

–остальной материал разместить в порядке, приведенном в оглавлении пояснительной записки (приложение1).

2.3.Титульный лист оформить в соответствии с приложением 7.

2.4.Каждый раздел, выполнить с новой страницы, подразделы 4.2 – 4.5 также выполнить

с новой страницы

2.5.Всем листам, включая титульный лист, присвоить порядковый номер (задание на кур-

совой прект при нумерации листов не учитывать).

2.6.Пояснительную записку оформить в виде папки.

Титульный лист, оглавление, введение и каждый раздел, за исключением раздела 4, помес-

тить в отдельный файл. Каждый подраздел (4.1 – 4.5) раздела 4 также поместить в отдельный

файл.

2.7.В соответствии с единой системой конструкторской документации ЕСКД каждому изде-

лию присваивают индивидуальное обозначение, которое называется децимальным номером изделия.

В настоящем курсовом проекте изделием является приемник радиовещательный ___ диа-

пазона.

В нашем учебном заведении принята структура обозначения изделия, которая включает

в себя буквенный индекс специальности РТ, код специальности 210414, номер группы, состоящий

из 3-х цифр, индивидуальный номер изделия, состоящий из 2-х цифр (порядковый номер задания).

Пример обозначения: РТ.210414 341 08.

Обозначение конструкторских документов на изделие должно состоять из обозначения

изделия и кода документа, установленного стандартами ЕСКД и приведенного в табл.2.

Таблица 2

Пример обозначения: РТ.210414 341 08 ПЗ.

2.8.Каждый конструкторский документ должен иметь основную надпись.

Формы, размеры, содержание и порядок заполнения основных надписей в конструкторских

документах устанавливает ГОСТ 2.104 – 68 “ЕСКД. Основные надписи”.

Для схем предусмотрена основная надпись по форме 1 ГОСТ 2.104 – 68 (Л.3, рис.1.5.1).

Для текстовых конструкторских документов (пояснительная записка) предусмотрена основ-

ная надпись по форме 2 ГОСТ 2.104 – 68 (Л.3, рис.1.5.2) и дополнительная для последующих листов

надпись по форме 2а ГОСТ 2.104 – 68 (Л.3, рис.1.5.3).

2.9. В соответствии с п.2.7 изделию курсового проекта (“Приемник радиовещатель-

ный ___ диапазона”) и всем конструкторским документам на него присвоить децимальный номер (обозначение). Конструкторские документы выполнить в соответствии с требованиями п.2.8 и

ГОСТ 2.104 – 68.

Основную надпись в пояснительной записке разместить на листе 2 (“Оглавление”).

ПРИЛОЖЕНИЕ 7

Электрические параметры полупроводниковых приборов

1.Диод 2Д419А.

Кремниевый диод 2Д419А с барьером Шоттки предназначен для применения в линейных

детекторах на частоте до 400 МГц.

Электрические параметры:

– постоянное прямое напряжение U_ПР (I_ПР = 1мА), В не более 0, 4

– постоянный обратный ток I_ОБР (U_ОБР = 15В), мкА не более 10

– рабочая частота f_РАБ, МГц 400

– крутизна S_Д, мА/В 10

– общая емкость С_Д, пФ не более 1, 5

Предельные эксплуатационные данные:

– постоянное обратное напряжение U_{ОБР МАКС}, В 15

– постоянный прямой ток I_{ПР МАКС}, мА 10

2.Высокочастотные транзисторы.

2.1.Транзистор КТ3108В.

Кремниевый p-n-p транзистор с нормированным коэффициентом шума на частоте

100МГц предназначен для применения в линейных усилителях и генераторах высокой частоты.

Электрические параметры:

– граничная частота f_ГР коэффициента передачи тока в схеме с общим

эмиттером, МГц, не менее 300

типовое значение, МГц 400

– статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером h_21Э (I_Э = 10 мА) 100 - 300

– крутизна вольтамперной характеристики S (I_К = 5мА, U_КЭ = 5В), мА/В 30

– обратный ток коллектора I_{К ОБР} (U_КБ =45В), мкА, не более 0, 2

– емкость коллекторного перехода С_К (U_КБ = 10В), пФ, не более 5

типовое значение, пФ 1, 8

-емкость эмиттерного перехода С_Э, пФ не более 6

– коэффициент шума К_Ш на частоте 100 МГц, дБ, не более 6

Предельные эксплуатационные данные:

– постоянное напряжение коллектор-эмиттер U_{КЭ МАКС} (R_ЭБ ≤ 10кОм), В 45

– постоянное напряжение эмиттер-база, U_{ЭБ МАКС}, В 5

– постоянный ток коллектора, I_{К макс}, мА 200

– постоянная рассеиваемая мощность Р_К, мВт 300

2.2.Транзистор КТ368А.

Кремниевый n-p-n транзистор с нормированным коэффициентом шума на частоте

60МГц предназначен для применения в линейных усилителях и генераторах высокой частоты.

Электрические параметры:

– граничная частота f_ГР коэффициента передачи тока в схеме с общим

эмиттером, МГц, не менее 900

типовое значение, МГц 1100

– статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером h_21Э (I_Э = 10 мА) 50 - 300

– крутизна вольтамперной характеристики S (I_К = 5мА, U_КЭ = 5В), мА/В 35

– обратный ток коллектора I_{К ОБР} (U_КБ =15В), мкА, не более 0, 5

– емкость коллекторного перехода С_К (U_КБ = 5В), пФ, не более 1, 7

типовое значение, пФ 1, 2

– емкость эмиттерного перехода С_Э, пФ не более 3

– коэффициент шума К_Ш на частоте 60 МГц, дБ, не более 3, 3

Предельные эксплуатационные данные:

– постоянное напряжение коллектор-эмиттер (R_ЭБ ≤ 3кОм), В 15

– постоянное напряжение эмиттер-база, В 4

– постоянный ток коллектора, мА 30

– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 225

2.3.Транзистор 2П341А.

Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор2П341А с затвором на основе

p-n перехода и каналом n–типа предназначен для применения в высокочастотных линейных

усилителях, преобразователях частоты и автогенераторах (гетеродинах).

Электрические параметры:

– рабочая частота f_РАБ, МГц 300

– коэффициент шума (на частоте 400МГц) К_Ш, дБ не более 2, 8

– крутизна вольтамперной характеристики S, мА/В 15 - 30

– начальный ток стока I_{СТ 0}, мА не более 20

– напряжение отсечки U_ОТС, В не более 3

– входная емкость (затвор – исток) С_ВХ, пФ не более 5

– выходная емкость (сток – исток), пФ не более 1, 6

– проходная емкость (сток – затвор), пФ не более 1

Предельные эксплуатационные данные:

– напряжение сток – исток U_{СИ МАКС}, В 15

– напряжение затвор – исток U_{ЗИ МАКС}, В 10

– постоянная рассеиваемая мощность Р_{СТ МАКС}, мВт 150

ПРИЛОЖЕНИЕ 8

Условные обозначения элементов

в схеме электрической структурной

1.Условные обозначения функциональных узлов и каскадов в схеме электрической

структурной приведены в таблице.

Таблица

Наименование элемента	Условное обозначение
1.Фильтр нижних частот     2.Полосовой фильтр   3.Перестраиваемый полосовой фильтр   4.Усилитель     5.Резонансный усилитель     6. Регулируемый резонансный усилитель   7.Смеситель     8.Амплитудный детектор     9.Перестраиваемый генератор высокой частоты     10.Механическая связь между элементами схемы