![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Лабораторная работа 1.Стр 1 из 4Следующая ⇒
Моделирование диффузии примеси в электронных структурах
Цель работы: Рассчитать профили диффундирующих в кремний атомов бора и фосфора.
Теоретическая часть: Диффузия атомов одного вещества, в частности, бора или фосфора, интенсивно используемых для получения активных областей в приборах интегральной электроники, в объемный образец другого вещества, в частности, кремния, являющегося базовым материалом данной электроники, описывается вторым законом Фика. Его можно записать как
где Обычно диффузию атомов примеси в кремнии описывают с помощью двух механизмов – диффузии из бесконечного источника и диффузии из ограниченного источника. Диффузия из бесконечного источника. Этот механизм задает постоянство концентрации примеси, диффундирующей в глубь кремниевого образца, на его поверхности, а также нулевые значения концентрации в начальный момент времени и на бесконечном удалении от поверхности кремния. Эти условия математически записываются как
Здесь функция
Значение данной функции можно получить только с помощью численного расчета интеграла. В зависимости от аргумента дополнительная функция ошибок изменяется от 2 для аргументов – 2 и меньше и до 0 для аргументов от 2 и выше. Диффузия из ограниченного источника. Этот механизм задает постоянство находящегося внутри кремния количества атомов диффузанта, т.е. как бы на поверхность кремния мгновенно произвели осаждение определенного количества атомов примеси и потом эти атомы с течением времени диффундируют в глубь кремния. Физически смысл этого количества атомов в том, что они представляют собой поверхностную концентрацию примеси. Математически начальное и граничные условия записываются как
Учет влияния температуры на диффузию. Физически процесс диффузии представляет собой движение атомов примеси внутри кристалла кремния. Атомы бора и фосфора диффундируют путем занятия вакансий в узлах решетки атомов кремния. Очевидно с изменением температуры процесс диффузии должен каким-то образом менять свой темп, так как атомам диффузанта будет либо легче, либо тяжелее перемещаться по вакансиям. Простой анализ показывает, что с ростом температуры диффузия ускоряется. Это может быть связано с изменением коэффициента диффузии
где Ускорение диффузии с ростом концентрации. Однако не только рост температуры ускоряет диффузию – фактически она сама себя ускоряет. Когда в какой-то области кремния концентрация диффундирующей примеси сравняется с собственной концентрацией кремния, сама эта излишняя концентрация примеси становится дополнительным источником диффузии, т.е. диффундирующие в глубь кремния атомы начинают поступать не только от внешнего источника, но и от тех областей внутри кремния, где их становится много – больше собственной концентрации кремния. Это явление можно учесть при определении профиля диффундирующей примеси с помощью следующих моделей коэффициента диффузии.
Для бора Для фосфора
Здесь
Замечание. В модели собственной концентрации в кремнии размерности всех концентраций [м–3]. Коэффициент же диффузии дан в размерности [см3·с–1] – все расчеты обязательно вести в системе СИ.
Практическая часть:
1. В соответствии со своим вариантом определите какие профили нужно построить. Варианты с 1 по 4 строят профиль бора для механизма диффузии из бесконечного источника и профиль фосфора для механизма диффузии из ограниченного источника. Варианты с 5 по 8 наоборот строят профиль фосфора для механизма диффузии из бесконечного источника и профиль бора для механизма диффузии из ограниченного источника.
2. Нужно построить профили для следующих парампетров
3. Постройте зависимости
|