![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Лабораторная работа 2.
Моделирование процесса ионной имплантации при создании легированных карманов в кремнии
Цель работы: Рассчитать распределения концентрации имплантированной примеси в условиях симметричного и асимметричного профилей.
Теоретическая часть: Процесс ионной имплантации, когда поверхность кремния облучается пучком ионов высокой плотности и разогретых до больших энергий, используется для создания в кремниевом образце областей (так называемых карманов) с высокой концентрацией примеси. Причем пик концентрации не обязательно должен находиться на поверхности кремния. Процесс имплантации задается дозой имплантируемых ионов Проникновение разогретых ионов в глубь кремния и движение в его толще характеризуется тремя параметрами: проецированной длиной пробега
Рис. 2.1. Определение параметров пробега имплантированных ионов
Экспериментальным путем для ионов бора и фосфора были получены следующие значения этих параметров
Симметричный профиль. В случае, когда ионы имплантируются с малыми дозами
Однако обычно расчет осуществляют по чуть более точной формуле
Слабая асимметрия профиля. Распределение Гиббонса. С увеличением дозы и энергии профиль имплантированной примеси начинает отличаться от симметричного. Этот случай получил название слабой асимметрии, и профиль описывается распределением Гиббонса, записываемом в следующем виде
где
Для удобства определения Сильная асимметрия профиля. Распределение Пирсона IV типа. При высоких энергиях имплантированных ионов (
Параметр
Определить величину Как видно, все параметры распределения Пирсона IV типа зависят от двух параметров, получивших название асимметрии (
Профиль концентрации примеси, если известен вид распределения Пирсона
Практическая часть: 1. Рассчитайте профили имплантированных ионов для всех трех случаев – симметричного распределения, слабой асимметрии и сильной асимметрии. 2. В соответствии со своим вариантом выберите энергию ионов (для случая сильной асимметрии) и их тип (для всех трех случаев)
3. Значение дозы
|