Однако магниторезисторы в форме диска и прямоугольника имеют низкое начальное сопротивление.

Лишены этого недостатка конструкции составных магниторе-зисторов, являющихся последовательным соединением многих прямо­угольных магниторезисторов с малым отношением длины пластины к ее ширине.

Одной из основных характеристик магниторезистора является за­висимость R_B=f(В). Эта зависимость (рис. 7) при малой магнит­ной индукции квадратична относительно В, а при больших линейна.

На рис. 8 представлена зависимость относительного изменения сопротивления R_R/R₀от удельной проводимости в InSb. Наиболь­шее значение достигается при использовании материала с удельной проводимостью s = 250 (Ом× см)^-1.

Характеристики магниторезистора сильно зависят от температу­ры.

Зависимость сопротивления магниторезисторов от индукции внеш­него магнитного поля при различных температурах окружающей сре­ды приведены на рис. 9. Как видно из рисунка, при увеличении ин­дукции от 0 до 1T сопротивление при нормальной температуре изме­няется приблизительно в 6—12 раз. Поэтому при использовании маг­ниторезисторов в широком интервале температур необходимо предус­матривать температурную компенсацию их характеристик.