Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Схемы искрогашения
Для искрогашения используются три основные схемы: схема шунтирования нагрузки емкостью с сопротивлением (рисунок 11), где Сш и Rш – емкость и активное сопротивление шунта; схема шунтирования контактов (рисунок 12); схема шунтирования нагрузки диодом (рисунок 13). При разрыве контактов «К» в схеме на рисунке 11 возникает переходный ток i, что не дает возможности появиться перенапряжению между контакт-деталями и, соответственно, искре. В схеме на рисунке 12 ток переходного процесса i протекает при разрыве контактов «К» через источник, исключая появление искры между контакт-деталями.
Рисунок 11 – Схема шунтирования нагрузки
Рисунок 12 – Схема с шунтированием контактов
На рисунке 13 вместо R-C цепочки для шунтирования нагрузки использован диод, включенный в цепь в обратном направлении. Явления аналогичны процессу на рисунке 11.
Рисунок 13 – Схема шунтирования нагрузки диодом
|