Классификация биполярных транзисторов.

По мощности, рассеиваемой коллекторным переходом, транзисторы бывают: малой мощности P < 0, 3 Вт; средней мощности 0, 3 Вт < P < 1, 5 Вт; большой мощности P > 1, 5 Вт.

По частотному диапазону транзисторы делятся на: низкочастотные < 3 МГц; среднечастотные 3 МГц < < 30 МГц; высокочастотные 30 МГц < < 300 МГц; сверхвысокочастотные > 300 МГц.

В настоящее время основным полупроводниковым материалом для транзисторов служит кремний. Германиевые транзисторы, ранее широко применявшиеся в схемах, вытесняются кремниевыми, имеющими лучшие параметры:

большую максимальную рабочую температуру, мощность, коэффициент передачи тока и граничную частоту. По конструктивным особенностям и технологии изготовления транзисторы делят на эпитаксиально-планарные, планарные, диффузионные, сплавные. Для большинства дискретных транзисторов характерна эпитаксиально-планарная структура.