![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Основные параметры
Для анализа и расчета цепей с биполярными транзисторами используют так называемые h – параметры транзистора, включенного по схеме ОЭ. Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме ОЭ, характеризуется величинами IБ, IБЭ, IК, UКЭ. В систему h − параметров входят следующие величины: 1. Входное сопротивление h11 = DU1/DI1 при U2 = const. (4.4) представляет собой сопротивление транзистора переменному входному току при котором замыкание на выходе, т.е. при отсутствии выходного переменного напряжения. 2. Коэффициент обратной связи по напряжению: h12 = DU1/DU2приI1 = const. (4.5) показывает, какая доля входного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие обратной связи в нем. 3. Коэффициент усилия по току (коэффициент передачи тока): h21 = DI2/DI1при U2 = const. (4.6) показывает усиление переменного тока транзистором в режиме работы без нагрузки. 4. Выходная проводимость: h22 = DI2/DU2 при I1 = const. (4.7) представляет собой проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора. Выходное сопротивление Rвых = 1/h22. Для схемы с общим эмиттером справедливы следующие уравнения:
где Для предотвращения перегрева коллекторного перехода необходимо, чтобы мощность, выделяемая в нем при прохождении коллекторного тока, не превышала некоторой максимальной величины:
Кроме того, существуют ограничения по коллекторному напряжению: и коллекторному току:
|