Временная зависимость прочности. 16 страница

На базе групповых методов изготовления, путём формирования необходимого количества электронных элементов и электрич. связей между ними в объёме одного ПП кристалла были впервые созданы (1959-61) полупроводниковые ИС. В их произ-ве наиболее распространена планарно-эпитаксиальная технология, заимствованная из произ-ва дискретных ПП приборов (см. Полупроводниковая электроника) и отличающаяся от него лишь дополнит, операциями по электрич. изоляции отд. элементов на ПП пластине и соединению всех элементов в кристалле в единый функциональный узел. Для изоляции используются методы создания вокруг элемента области ПП материала с противоположным типом проводимости (при этом образуется изолирующий р-п-переход, см. Электронно-дырочный переход) или слоя диэлектрика, напр, двуокиси кремния. Осн. технологич. операции планарно-эпитаксиальной технологии: механич. и химич. обработка ПП пластин; эпи-таксиальное наращивание на пластине слоя с необходимыми электрофизич. свойствами (типом проводимости, удельным сопротивлением и т. д.); фотолитография, легирование (напр., посредством диффузии или ионного внедрения); нанесение металлич. плёнок - электродов, соединит, дорожек, контактных площадок (рис. 2).

Из всех перечисленных этапов технологического процесса наиболее ответственным является фотолитография. Она обеспечивает проведение избират. обработки отд. участков ПП пластины, напр, вытравливание " окон" в окисной плёнке на пластине для проведения диффузии примесей. В этом процессе используется светочувствит. лак - фоторезист. Плёнка фоторезиста, нанесённая на ПП пластину, облучается ультрафиолетовым светом через приложенную плотно к пластине фотомаску-т. н. фотошаблон, к-рый представляет собой стеклянную пластинку с выполненным на ней повторяющимся рисунком, образованным непрозрачными и полупрозрачными участками (чаще всего слоя хрома). После облучения плёнка фоторезиста подвергается селективному травлению, в результате чего на ПП пластине воспроизводится рисунок фотошаблона. Экспонирование фоторезиста проводится также и бесконтактным способом: проецированием рисунка на пластину. Перспективен метод экспонирования заданного рисунка электронным лучом (электронолитография).

Рис. 2. Последовательность основных технологических операций одного из способов нз-" готовления полупроводниковых ИС: А - подготовка (шлифовка, полировка) пластины кремния с проводимостью р-типа; Б - окисление кремния в атмосфере сухого кислорода; В - фотолитография (фотогравировка слоя окисла кремния, вскрытие " окон" в нём); Г -диффузия сурьмы или мышьяка через " окна в окисле для получения высокопроводящей области " скрытого" слоя кремния п-типа (О под коллектором будущего транзистора и базой диода; Д - эпитаксиальное наращивание кремния-нанесение слоя кремния п-типа (2); Е - изолирующая диффузия для получения взаимной электрической изоляции будущих элементов интегральной схемы (ей предшествует окисление эпитаксиального слоя и селективное удаление окисной плёнки с помощью фотолитографии) - диффузия бора, в результате которой эпитаксиальный слой разделяется на отдельные островки кремния п-типа (3), окружённые кремнием р-типа; Ж, 3 - формирование элементов интегральной схемы в изолированных областях кремния последовательным проведением ещё двух диффузий примесей через вскрываемые с помощью фотолитографии " окна" в дополнительно нанесённой окисной плёнке кремния [вторая диффузия - диффузия бора - производится для создания базовых областей (4) транзисторов, p-n-переходов и областей резисторов, при третьей диффузии - диффузии фосфора - формируются эмит-терные области транзисторов (5)1; И - вскрытие " окон" в окисле кремния под контакты с областями коллектора, эмиттера и базы транзисторов, р- и п- областями диодов и с резисторами; К - создание внутрисхемных соединений посредством вакуумного напыления на поверхность пластины плёнки алюминия, к-рая затем селективно травится с помощью фотолитографии; сохранённые участки алюминия (6) образуют электроды элементов, соединительные дорожки и контактные площадки для подсоединения структуры интегральной схемы к выводам корпуса.

При изготовлении полупроводниковых ИС требуется неоднократное проведение фотолитография, процесса с воспроизведением на пластине совмещающихся между собой различных рисунков. Для этого обычно используется набор из 7-8 фотошаблонов. Проектирование и изготовление фотошаблонов требует особо высокой точности и соблюдения в производств, цехах условий вакуумной гигиены (не более 3-5 пылинок размером ок. 0, 5 мкм на 1л воздуха): для получения сотен элементов микронных размеров в сотнях идентичных ИС, изготавливаемых одновременно на одной ПП пластине, фотошаблоны должны обеспечивать воспроизводимость размеров от одного рисунка к другому и их взаимную совмещаем ость. Поэтому при проектировании и изготовлении фотошаблонов используется сложное прецизионное оборудование: координатографы с программным управлением от ЭВМ для вычерчивания оригинала рисунка с увеличением в сотни раз; различной конструкции фотоштампы для уменьшения рисунка-оригинала и его мульти-плицирования (размножения).

Для формирования структур элементов в исходной ПП пластине проводится легирование примесями участков, подготовленных на этапе фотолитографии. Осн. методом легирования является диффузия, напр, при помещении пластины кремния на нек-рое время в пары примеси при темп-ре 1100-1200 °С. Точность поддержания темп-ры, постоянство концентрации примеси у поверхности пластины, длительность процесса определяют распределение примеси по толщине пластины и соответственно параметры формируемого элемента. Кроме диффузии, легирование может производиться ионным внедрением (бомбардировкой пластины ионизированными атомами примеси), к-рое является новым технологич. направлением, дополняющим и частично заменяющим диффузию. Полупроводниковые ИС имеют высокий уровень интеграции (до 10 000 элементов и более в одном ПП кристалле).

Совершенствование технологии изготовления активных (диодных и транзисторных) элементов на пластинах ПП материала путём перехода на групповые методы стимулировало развитие техники печатного монтажа и плёночной технологии создания пассивных (резистивных, ёмкостных) микроминиатюрных компонентов, что послужило основой для разработки плёночных ИС. Плёночные ИС, как правило, являются чисто пассивными, т. к. нанесение монокри-сталлич. ПП плёнок для формирования активных элементов не обеспечивает необходимого их качества. Основой для плёночной ИС служит диэлектрич., напр, керамическая, подложка. Различают толстоплёночную технологию изготовления ИС - нанесение слоев проводящих, резистивных и диэлектрич. паст толщиной от 1 до 25 мкм и тонкоплёночную технологи ю-вакуумное напыление плёнок толщиной до 1 мкм через металлич. трафареты или вакуумное напыление в сочетании с последующей фотолитографич. обработкой.

Плёночная ИС со смонтированными на ней бескорпусными дискретными ПП приборами (диодами, транзисторами) и бескорпусными полупроводниковыми ИС называется гибридной ИС (рис. 3). Её пассивная часть может быть выполнена многослойной, в виде набора керамич. подложек со слоями плёночных элемев-тов. После спекания подложек получается монолит с многослойным расположением электрически соединённых между собой пассивных элементов. Бескорпусные активные элементы монтируются на верхней поверхности монолита.

Рис. 3. Гибридная интегральная схема со снятой крышкой корпуса (2 идентичных операционных усилителя с 33 компонентами в каждом). На основании корпуса размещена керамическая подложка размером 29X39 мм с выполненными на ней тонкоплёночными резисторами (1) и соединительными токоведущими дорожками (2); к контактным площадкам (3) плёночной интегральной схемы подсоединены навесные элементы - бескорпусные транзисторы (4), конденсаторы (5); внешние контактные площадки (6) интегральной схемы соединены с выводами корпуса (7).

Кроме полупроводниковых и плёночных ИС, изготавливают т. н. совмещённые ИС. Активные элементы в них выполняются в объёме ПП подложки по планарно-эпитаксиальной технологии, а пассивные элементы и электрич. соединения наносятся в виде тонких плёнок на поверхность монолитной структуры. По уровню интеграции совмещённые ИС приближаются к полупроводниковым.

Изготавливают также многокристальные ИС с высоким уровнем интеграции, в к-рых неск. кристаллов полупроводниковых ИС объединяются на диэлектрич. подложке плёночными соединениями в сложнейшее электронное устройство. Его функциональное назначение может соответствовать отд. блоку или даже системе, напр, вычислит, машине настольного типа.

Сочетание плёночной технологии получения пассивных элементов и использование в качестве активных элементов электровакуумных приборов в микроминиатюрном исполнении привело к появлению вакуумных ИС и нового направления - вакуумной микроэлектроники. Вакуумная ИС может быть выполнена как в виде плёночной ИС с навесными микроминиатюрными электровакуумными приборами, так и в виде устройства, все компоненты к-рого помещены в вакуум. В отличие от ПП ИС вакуумные ИС имеют повышенную стойкость к воздействию космич. излучения; их плотность упаковки достигает 20-30 элементов в 1 см³.

Все виды ИС по функциональному признаку делятся на 2 больших класса: цифровые (логические) ИС и линейные ИС. Цифровые ИС предназначены для работы в логич. устройствах, в частности они применяются в ЭВМ. К линейным относятся все остальные ИС, предназначенные в основном для линейного (в конечном счёте) преобразования электрич. сигналов (усиления, модуляции, детектирования и т. д.), хотя они могут включать в себя такие нелинейные элементы, как генераторы синусоидальных колебаний, преобразователи частоты и др.

Дальнейшее развитие М. идёт гл. обр. в двух направлениях: повышение уровня интеграции и плотности упаковки в ИС, ставших традиционными; изыскание новых физич. принципов и явлений для создания электронных устройств со схемотехнич. или даже системотехнич. функциональным назначением. Первое направление привело к уровням интеграции, характеризующимся многими тысячами элементов в одном корпусе ИС с микронными и субмикронными размерами отд. элементов. Второе направление может позволить отказаться от дальнейшего повышения уровня интеграции ИС (из-за конструктивной сложности), снизить рассеиваемую мощность, увеличить быстродействие аппаратуры и др. Это новое направление в целом приобретает название функциональной микроэлектроники - электроники комбинированных сред с использованием таких явлений, как оптич. явления в твёрдом теле (оптоэлектрони-ка) и взаимодействие потока электронов с акустич. волнами в твёрдом теле (акустоэлектроника), а также с использованием свойств сверхпроводников, свойств магнетиков и полупроводников в магнитных полупроводниках (магнетоэлектро-ника) и др.

Лит.: Интегральные схемы, пер. с англ., М., 1970; Микроэлектроника. Сб. ст., в. 1 - 5, М., 1967 - 72.

А. А. Васенков, И. Е. Ефимов.

МИКРОЭЛЕМЕНТЫ, химич. элементы, присутствующие в организмах в низких концентрациях (обычно тысячные доли процента и ниже). Термин " М." применяется и для обозначения нек-рых хим. элементов, содержащихся в почвах, горных породах, минералах, водах. Точные количественные критерии для различения М. от макроэлементов не установлены. Нек-рые макроэлементы почв и горных пород (Al, Fe и др.) являются М. для большинства животных, растений, человека.

В живых организмах отдельные М. были обнаружены ещё в нач. 19 в., но их физпол. значение оставалось неизвестным. В. И. Вернадский установил, что М. не случайные компоненты живых организмов и что их распределение в биосфере определяется рядом закономерностей. По совр. данным, более 30 М. считаются необходимыми для жизнедеятельности растений и животных. Большинство М.- металлы (Fe, Си, Mn, Zn, Mo, Со и др.), нек-рые -неметаллы (I, Se, Br, F, As).

В организме М. входят в состав разнообразных биологически активных соединений: ферментов (напр., Zn - в карбо-ангидразу, Си - в полифенолоксидазу, Мп - в аргиназу, Мо - в ксантинокси-дазу; всего известно ок. 200 металлофер-ментов), витаминов (Со - в состав витамина Bi₂), гормонов (I - в тироксин, Zn и Со - в инсулин), дыхат. пигментов (Fe - в гемоглобин и др. железосодержащие пигменты, Си - в гемоцианин). Действие М., входящих в состав указанных соединений или влияющих на их функции, проявляется гл. обр. в изменении активности процессов обмена веществ в организмах. Нек-рые М. влияют на рост (Mn, Zn, I - у животных; В, Mn, Zn, Cu - у растений), размножение (Mn, Zn - у животных; Мп, Си, Мо - у растений), кроветворение (Fe, Си, Со), на процессы тканевого дыхания (Cu, Zn), внутриклеточного обмена и т. д. Для ряда обнаруженных в организмах М. (Sc, Zr, Nb, Au, La и др.) неизвестно их количественное распределение в тканях и органах и не выяснена биол. роль. М.в почвах входят в состав разных соединений, большая часть к-рых представлена нерастворимыми или трудно-растворимыми формами и лишь небольшая - подвижными формами, усваиваемыми растениями. На подвижность М. и их доступность растениям большое влияние оказывают кислотность почвы, влажность, содержание органич. вещества и др. условия. Содержание М. в почвах различных типов неодинаково. Напр., подвижными формами В и Си богаты чернозёмы (0, 4-1, 5 и 4-30 мг в I кг почвы) и бедны дерново-подзолистые (0, 02-0, 6 и 0, 1-6, 7 мг в 1 кг), недостаток Мо ощущается в лёгких, Со - в кислых дерново-подзолистых почвах, Мп - в чернозёмах, Zn - в бурых и каштановых. Недостаток или избыток М. в почве приводит к дефициту или избытку их в растит, и животном организме. При этом происходят изменения характера накопления (депонирования), ослабление или усиление синтеза биол. активных веществ, перестройка процессов межуточного обмена, выработка новых адаптации или развиваются расстройства, ведущие к т. н. эндемич. заболеваниям человека и животных. Так, эндемич. атаксия у животных вызывается недостатком Си, нек-рым избытком Мо и сульфатов, возможно, также РЬ; эндемич. зоб у человека и животных - недостатком I; акобальтозы - нехваткой Со в почве; борные энтериты, осложнённые пневмониями (у овец), - избытком В. В различных биогеохимических провинциях эндемич. заболеваниями поражаются обычно 5-20% поголовья с.-х. животных или популяции того или иного вида. Для растений также вреден недостаток или избыток М. Напр., при недостатке Мо подавляется образование цветков у цветной капусты и у нек-рых бобовых; при недостатке Си нарушается плодообразование у злаков, цитрусовых и др. растений; при недостатке В - недоразвито цветоложе, отсутствует цветение (арахис), отмирают бутоны (яблоня, груша), засыхают соцветия (виноград) и плоды (арахис, капуста); при избытке В растения поражаются гнилью корневой шейки, заболевают хлорозом, массовое распространение получает образование галлов.

В провинциях, где концентрация отд. М. не достигает нижних пороговых границ, эндемич. болезни удаётся предупреждать и излечивать добавлением в корм животных соответствующих М.; для растений применяют микроудобрения.

В кормлении с.-х. животных М. используют также для повышения продуктивности с.-х. животных. Соли М. или водные растворы добавляют к силосу, концентрированным и грубым кормам. М.- компоненты мн. комбикормов, выпускаемых комбикормовой пром-стью. См. также Биогенные элементы и статьи по отд. элементам, напр. Бор в организме, Иод в организме, Молибден в организме и др.

Лит.: Виноградов А. П., Геохимия редких и рассеянных химических элементов в почвах, 2 изд., М., 1957; Шоу Д. М., Геохимия микроэлементов кристаллических пород, пер. с франц., Л., 1969; Школьник М. Я., Значение микроэлементов в жизни растений и в земледелии, М.- Л.. 1950; Каталымов М. В., Микроэлементы и микроудобрения, М.- Л., 1965; Евдокимов П. Д., Артемьев В. И., Витамины, микроэлементы, биостимуляторы и антибиотики в животноводстве, Л., 1967; Б е р-з и н ь Я. М., С а м о х н н В. Т., Микроэлементы в животноводстве, М., 196S; Ковальский В. В., Андрианова Г, А., Микроэлементы в почвах СССР, М., 1970; Ковальский В. В.. Р а е ц-к а я Ю. И., Грачева Т. И., Микроэлементы в растениях и кормах, М., 1971; Жизневская Г. Я., Медь, молибден и железо в азотном обмене бобовых растений, М., 1972. А. Р. Валъдмсн, Г. Я. Жизневская.

Основные физиологогигиенические характеристики важн ейших незаменимых микроэлементов

К. Миксат.

А. А. Микулин.

Осн. источник поступления М. в организм человека - пищевые продукты растит, и животного происхождения. Питьевая вода покрывает лишь 1 -10% суточной потребности в таких М., как I, Cu, Zn, Mn, Со, Мо, и лишь для отд. М. (F, Sr) служит главным источником. Содержание разных М. в пищевом рационе зависит от геохимич. условий местности, в к-рой были получены продукты, а также от набора продуктов, входящих в рацион. В совр. практике для населения развитых стран характерно включение в рацион разнообразных продуктов питания, значит, часть к-рых производится далеко от места потребления, ввиду чего ликвидируются условия, способствующие воздействию на человека геохимич. особенностей местности. Лишь два М. могут быть достоверно названы в качестве этио-логич. фактора эндемич. заболеваний человека - I, недостаток к-рого способствует распространению зоба эндемического, и F, при избытке к-рого возникает флюороз, а при недостатке - кариес.

Для F определяющим источником поступления в организм является вода, для I - молоко и овощи, т. е. продукты, к-рые, как правило, производятся в районе проживания поражённого населения. Осн. " поставщиком" в рацион большинства др. важнейших М. являются хлебопродукты.

М. распределяются в организме неравномерно. Повышенное их накопление в том или ином органе в значит, мере связано с физиол. ролью элемента и спе-цифич. деятельностью органа (напр., преим. накопление Zn в половых железах и его влияние на воспроизводит, функцию); в др. случаях М. воздействует на органы и функции, не связанные с местом его накопления в организме.

С возрастом содержание многих М. (Al, Ti, C1, Pb, F, Sr, Ni) увеличивается, причём в период роста и развития это нарастание идёт сравнительно быстро, а к 15-20 годам замедляется или прекращается. Есть данные, что содержание Со, Си, Ni в крови и Sr в скелете в возрасте 50-60 лет становится несколько ниже, чем в 20-25 лет. Абсолютные уровни содержания М. в органах и тканях могут существенно колебаться в зависимости от места жительства, постоянных пищ. рационов и др. причин, определяющих уровень поступления и накопления данного М., а также в зависимости от индивидуальных особенностей организма. Установлено, что концентрация в крови нек-рых элементов постоянно поддерживается на сравнительно стабильном уровне (Со 4-8 мкг%, Си 80-140 мкг%, Fe 45-60 мкг%), другие же М. (Sr, Pb, F) не подвергаются подобной регуляции, и их содержание в крови может заметно колебаться в зависимости от уровня поступления элемента в организм.

В крови большинство М. находится в связанном с белками состоянии - Си в виде купропротеидов и церулоплазмина, Zn - в виде угольной ангидразы, Со -как компонент витамина Bi2 и в форме, связанной с белком, Fe - в виде сиде-рофиллина. Нек-рые элементы находятся в крови в ионном состоянии, напр. Li; ок. 50% Sr и F входят в минеральные структуры кости, эмали и дентина.

По значению для жизнедеятельности организма М. разделяют на необходимые (Со, Fe, Cu, Zn, Mn, I, F, Br) и вероятно необходимые (Al, Sr, Mo, Se, Ni); роль Bi, Ag и др. М., закономерно обнаруживающихся в тканях, остаётся невыясненной.

Функции М. в организме весьма ответственны и многообразны. Физиолого-гигиенич. характеристику важнейших М. см. в табл., где представлены эффекты т. н. биотич. количеств М. (т. е. количеств, встречающихся в природе); внутри этих пределов действие одного и того же элемента может существенно меняться. Напр., малые количества Мп стимулируют кроветворение и иммунореактив-ность, большие - угнетают. При увеличении концентрации F в питьевой воде до 1-1, 5 мг/л заболеваемость кариесом снижается, а при превышении 2-3 лг/л развивается флюороз и т. д. В организме взаимодействие отмечается и между самими М. (Со эффективно действует на кроветворение лишь при. наличии в организме достаточных количеств Fe и Си; Мп повышает усвоение Си, Си по некоторым эффектам является антагонистом Mo; F влияет на метаболизм Sr и т. п.).

Использование М. в клинич. медицине пока носит огранич. характер. Эффективно применяются в борьбе с нек-рыми видами анемий препараты Со, Fe, Cu, Мп. В качестве фармакологич. средств в клинике используют также Вг и I. В области применения М. значительны успехи гигиены: иодирование соли или хлеба для профилактики эндемич. зоба, фторирование воды для снижения заболеваемости кариесом. В случаях, когда F в природных водах много, эксплуатируются дефторирующие установки.

Лит.: В о и н а р А. О., Биологическая роль микроэлементов в организме животных и человека, 2 изд., М., 1960; Микроэлементы, [сб. ст.], пер. с англ., М., 1962; Микроэлементы в сельском хозяйстве и медицине. К., 1963; Бабенко Г. А., Микроэлементы в экспериментальной и клинической медицине, К., 1965; Шустов В. Я., Микроэлементы в гематологии, М., 1967; А з и-з о в М. А., О комплексных соединениях некоторых микроэлементов с бпоактивными веществами, 2 изд., Таш., 1969; К о л о-мийцева М. Г., Г а б о в и ч Р. Д., Микроэлементы в медицине, М., 1970 (лит.).

В. А. Книжников.

МИКРУРГИЯ (от микро-.. и греч. ergon - работа), микродиссек-ц и я (от лат. dissectio - рассечение), совокупность методических приёмов и технических средств, позволяющих производить под микроскопом операции на очень мелких объектах - микроорганизмах, простейших, клетках многоклеточных организмов или внутриклеточных структурах (ядрах, хромосомах и др.). М. включает в себя также микроизоляции, микроинъекции, микровивисекционные и микрохирургическяе вмешательства (напр., операции на глазном яблоке). Большое развитие М. получила в 20 в. в связи с усовершенствованием микроманипуляторов и специальных микроинструментов - игл, пипеток, микроэлектродов и др.

Объект помещают в камеру, заполненную физиол. раствором, вазелиновым маслом, сывороткой крови или др. средой. При помощи М. возможно выделение отд. клеток, в т. ч. микробных, разрезание их на части, удаление и пересадка ядер и ядрышек, разрушение отд.; участков и органоидов клетки, введение в клетку микроэлектродов (см. Микроэлектродная техника) и химич. веществ извлечение из неё органоидов. М. позволяет изучать физико-химич. свойства клетки, её физиол. состояние, пределы реактивности. Особое значение М. приобретает в связи с возможностью пересадки ядер соматич. клеток в лицевые обратно. Так, Дж. Гёрдон (1963) перенёс ядро из эпителиальной клетки кишечника земноводного в лицевую клетку того же вида. При М. резко нарушаются строение и жизнедеятельность клетки, поэтому необходим строгий контроль физиологичности производимых операций.

Пересадка ядер у амёб; момент проталкивания ядра сквозь соприкасающиеся поверхности обеих амёб.

Лит.: Кронтовский А. А., О микрооперациях над клетками в тканевых культурах, " Врачебное дело", 1927, № 13; Ф онбрюн П., Методы микроманипуляцин, пер с франц., М., 1951; Корас М., Micrurgi cal studies on living cells, в кн.: The cell v. 1, N. Y.- L., 1959, p. 161-91; Guidon J., Nuclear transplantation in Amphibi; and the importance of stable nuclear change: in promoting cellular differentiation, " Quar terly Review of Biology", 1963, v. 38, № 1 p. 54 - 78.

С.Я.Залкинд

МИКСАТ (Mikszath) Кальман (16.1 1847, Склабонья, -28.5.1910, Будапешт) венгерский писатель, почётный чл. Венгерской АН (1889). Род. в дворянской семье. Учился на юрид. ф-те Будапештского ун-та. С 1887 деп. парламента от правительств. Либеральной партии. Успех М. принесли сб-ки рассказов " Земляки-словаки" (1881) и " Добрые палоцы" (1882), в к-рых с симпатией и юмором, хотя и несколько идиллически, обрисован быт крестьян. В романе " Странный брак" (1900, рус. пер. 1951) М. высмеивал феод, пережитки, клерикальную реакцию. В новеллах " Кавалеры" (1897, рус. пер. 1954), " Осада Бестерце" (1896, рус. пер. 1956) критиковал моральную деградацию и паразитизм дворянства. Едкой иронией пронизаны картины парламентской жизни в романе " Выборы в Венгрии" (1893-97, рус. пер. 1965).

С о ч.: Osszes miivei, kot. 1 - 23, Bdpst, 1961; в рус. пер.-Собр. соч. Вступ. ст. Г. Гулиа, т. 1-6, М., 1966-69.

Лит.: К i г а 1 у J., Mikszath Kalman, Bdpst, 1960.

Е. В. Умнякова.

МИКСБОРДЕР (от англ, mix - смешивать и border - кайма), многорядная (иногда гнездовая) посадка цветочно-декоративных растений, подобранных в таком ассортименте, при к-ром цветение их продолжается с ранней весны до поздней осени. Схема М.: фон (стена, ограда, живая изгородь); группы растений заднего плана - высокорослые (живокость, многолетние астры, мальва и др.); средняя часть - группы осн. растений (в весенний период - нарциссы или тюльпаны, в раннелетний - пионы, ирисы или люпины, в летний - флоксы, в осенний - астры); растения переднего плана - низкорослые многолетники (примула, незабудка, мускари, флокс ползучий) и однолетники; дополнит, элементы М.- высокодекоративные растения (айва японская, штамбовые формы гортензии, розы, формованные туи, вьющиеся растения) или малые архит. формы (вазы, скульптуры, небольшие фонтаны).

МИКСЕДЕМА (от греч. туха - слизь и oidema - опухоль, отёк), слизистый отёк, заболевание, обусловленное недостаточностью (гипотиреоз) или полным выпадением функций щитовидной железы. Различают тиреоидную и гипоталамо-гипофизарную М. Первая может быть врождённой - в результате порока внутриутробного развития, токсикозов беременности, внутриутробной инфекции (сифилис, вирусные инфекции), и приобретённой - на почве трав-матич. повреждений или острого и хро-нич. воспаления щитовидной железы. Возможно развитие этой формы М. и в результате аутоиммунной агрессии (см. Аутоиммунные заболевания) на собственный тиреоглобулин. В основе гипотала-мо-гипофизарной М. лежат функциональные и органич. изменения, нарушающие выработку тиреотропиносвобождающего фактора гипоталамуса или тирео-тропного гормона гипофиза. Осн. признаки М.: слизистый отёк кожи и подкожной клетчатки, сухость кожи, медлительность, сонливость, снижение памяти, физич. и психич. вялость, снижение осн. обмена, постоянная зябкость, низкое кровяное давление, замедленный пульс, вялость кишечника (запоры) и др. В детском возрасте - карликовый рост, замедление окостенения, запаздывание прорезывания зубов, ломкость ногтей, нарушение психики. Лечение: постоянное введение препаратов щитовидной железы (тиреоидина), трийодтиронина.