![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Вплив температури на ВАХ p-n переходу.
Прямий струм p-n переходу визначається потоком основних носіїв заряду, який залежить від величини потенційного бар'єру в p-n переході. Збільшення температури приводить до зменшення потенційного бар'єру, а отже, до збільшення прямого струму. Зворотний струм p-n переходу визначається потоком неосновних носіїв заряду. Збільшення температури приводить до збільшення швидкості теплової генерації, що приводить до зростання концентрації неосновних носіїв заряду в напівпровіднику, а отже, зростання зворотного струму. Для кількісної оцінки впливу температури на ВАХ p-n переходу використовують два параметри:
Для германієвих p-n-переходів ТКН»-2 мВ/град, для кремнієвих p-n-переходов ТКН»-3 мВ/град.
Для германієвих p-n переходів зворотний струм подвоюється на кожні 10°C (Т*=10°C), для кремнієвих – на кожні 8°C (Т * = 8°С).
|