![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Класифікація та маркування діодів ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7
Словарь - Открыть словарную статью Випрямляючий діод використовує вентильні властивості p-n переходу і застосовується в випрямлячах змінного струму. В якості матеріалу при виготовленні випрямних діодів використовують в основному германій і кремній. Випрямляючий діод представляє собою електронний ключ, керований прикладеною до нього напругою. При прямій напрузі ключ замкнутий, при зворотній - розімкнений. Значення Uпр відкритого діода не перевищує для германієвих діодів 0, 5 В, а у кремнієвих 1, 5 В. Основними параметрами випрямних діодів є: ІПР MAX - максимальне (за період вхідної напруги) значення (середнього) прямого струму діоду; UЗВОР MAX - найбільше допустиме значення постійнї зворотної напруги діода; fmax - максимальна робоча частота діода; UПР - пряме падіння напруги на діод при заданому прямому струмі.
Випрямні діоди класифікують за потужністю: малопотужні (ІПР MAX < 0, 3 А); середньої потужності (0, 3 А £ ІПР MAX < 10 А); великої потужності (ІПР MAX > 10 А), та частотою: низькочастотні (fmax < 103 Гц); високочастотні (fmax > 103 Гц). Як випрямні застосовуються також діоди, виконані на випрямляючих переходах метал - напівпровідник (діоди Шотки). Їх відрізняє менша, ніж у діодів з p-n переходом, пряма напруга і більш високі частотні характеристики. Випрямні діоди використовують для випрямлення змінних струмів частотою 50 Гц - 100 кГц.
Надвисокочастотний діод (НВЧ діод) - напівпровідниковий діод, призначений для перетворення та обробки надвисокочастотних сигналів (до десятків і сотень гігагерц). Надвисокочастотні діоди широко застосовуються в пристроях генерації та посилення електромагнітних коливань НВЧ діапазону, множення частоти, модуляції, регулювання та обмеження сигналів та ін.
Напруга стабілізації лежить в діапазоні від 3 до 180 В. Для стабілізації більш низьких напруг використовують стабістори - діоди які працюють при прямих зміщеннях. Сполучаючи послідовно кілька діодів, вдається перекрити діапазон напруг нижче 3 В. Відмінність стабілітрону від стабістора полягає у використовуваній для стабілізації напруги різних ділянок ВАХ для стабілітрону - звовотбої гілки, для стабістору – прямої. До основних параметрів стабілітронів відносяться: UСТ НОМ - номінальна напруга стабілізації при заданому струмі; rДИФ СТ =∆ UСТ /∆ IСТ - диференційний опір стабілітрона, рівний відношенню приросту напруги стабілізації до струму, що викликав цей приріст; IСТАБ. МІН - мінімальний струм стабілізації, найменше значення струму стабілізації, при якому режим пробою стійкий; IСТАБ. МАКС - максимальний струм стабілізації, найбільше значення струму стабілізації, при якому допустима робота стабілітрону; ТКНСТАБ = ∆ UСТ /(UСТ НОМ •DТ) - температурний коефіцієнт напруги стабілізації, показує на скільки змінюється напруга стабілізації DUСТ відносно номінального значення UСТ НОМ при зміні температури в інтервалі DТ.
Варікап – напівпровідниковий діод, дія якого заснована на використанні залежності бар’єрної ємності Сб від значення прикладеної напруги. Це дозволяє застосовувати варикап як елемент з електрично керованою ємністю. Основною характеристикою варикапів служить ВФХ вольт-фарадна характеристика - залежність ємності варикапів СВ від значення прикладеної зворотної напруги. Варикапи, що випускаються промисловістю мають значення ємності СВ від одиниць до сотень пікофарад. Основними параметрами варикапів є: СВ - ємність, варикапа при заданій зворотній напрузі;
ТКЄВАР =DСВ/(СВ•DT) - температурний коефіцієнт ємності - характеризує залежність ємності варикапів від температури, де DСВ/СВ – відносна зміна ємності варикапів при зміні температури навколишнього середовища на DТ.
rДИФ ТД = - ∆ UТД /∆ IТД. Це пояснюється тим, що при дуже малих товщинах запірного шару спостерігається тунельний перехід зарядів із валентної зони в зону провідності. Тунельний діод, завдяки своїй ВАХ, знайшов широке застосування в якості ключового елемента. Оскільки тунельне проходження електронів крізь потенційний бар'єр переходу не пов'язано з повільним процесом дифузії, то швидкість передачі тунельного струму дуже велика (близько 10-13 сек для сильнолегованого германію). Тому частотні властивості тунельних діодів визначаються не швидкістю передачі струму, а тільки факторами, залежними від конструкції: СДИФ - ємністю переходу, опором втрат, обумовленим об'ємним опором напівпровідника і відводів, і сумарною індуктивністю діода. Частотні властивості тунельного діода характеризуються максимальною частотою fmax. На частотах вище f max тунельний діод вже не можна використовувати в якості негативного опору, тобто генерування і посилення електричних коливань на цих частотах неможливо. Крім того, якість тунельного діода на високих частотах оцінюється відношенням, яке іноді називається фактором добротності. При роботі тунельного діода в перемикаючих схемах його швидкодія характеризується величиною часу перемикання, який залежить і від властивостей діода і від параметрів схеми.
Тиристор - напівпровідниковий прилад з трьома виводами на основі монокристала напівпровідника з чотиришаровою структурою р-n-p-n типу має три виводи: анод, катод, керуючий електрод. Це керований діністор, або свого роду ключ, який призначений для управління потужною силовою частиною при подачі слабких керуючих імпульсів на керуючий електрод відносно катода. Перехід тиристора із закритого стану у відкритий здійснюється подачею на керований електрод напруги (струму), (для фототірістора - світла). Тиристор також має нелінійну розривну ВАХ. Тиристори є найбільш потужними електронними ключами, здатними комутувати напру до 5 кВ і струми до 5 кА при частоті до 1 кГц, ККД досягає 99%. Основні параметри тиристорів: IУТРИМ - мінімальне значення анодного струму через тиристор при якому він ще не вимикається; ІВМ К Е - мінімальне значення струму керуючого електрода при якому вмикається тиристор; UВМ К Е - мінімальне значення напруги на керуючому електроді при якій вмикається тиристор; ІПР МАХ - максимальний прярий струм у ввімкненому стані (до 5кА); UЗВОР МАХ - максимальна зворотня напруга на тиристорі (до 5кВ); dU/dt - швидкість наростання в напруги на тиристорі (до109 В/сек); tВМИК - час включення тиристора (від декількох десятих долей до декількох десятків мкс); tВИМИК - час вимкнення тиристора (від декількох одиниць до декількох сотень мкс).
Тиристори застосують в якості електронних ключів, керованих випрямлячів, перетворювачів напруги (інверторів), регуляторів потужності (тріммери) та ін.
Умовні графічні позначення 16 - диністорів; 17 - тиристорів. Відмінність диністора від триністора. Принципових відмінностей між диністором і триністором немає, однак якщо включення диністора відбувається при досягненні між виводами анода і катода певної напруги, що залежить від типу даного диністора, то в триністорі напруга включення може бути спеціально заниженою, шляхом подачі імпульсу струму визначеної тривалості і величини на його керуючий електрод при позитивній різниці потенціалів між анодом і катодом, і конструктивно тріністор відрізняється тільки наявністю керуючого електрода. Триністори є найбільш поширеними приладами з «тиристорного» сімейства. Вимкнення тиристорів відбувається так як і у диністорів. В даний час розроблено цілий клас тиристорів, які переходять в закритий стан після подачі на керуючий електрод напруги негативної полярності.
Симіcтop (від симетричний тиристор) або тріак (від англ. TRIAC - triode for alternating current) - напівпровідниковий прилад, що використовується для управління навантаженнями в колах змінної напруги, має три виводи: «1», «2» та «керуючий електрод». В електроніці він розглядається як керований вимикач змінного струму. У закритому стані провідність між електродами «1» та «2» відсутня. При подачі напруги на керуючий електрод симістора відносно виводу «1», симістор вмикається та виникає провідність між електродами «1» та «2». Причому симістор у відкритому стані проводить струм в обох напрямках. ВАХ симістора повтрює ВАХ тиристора при прямому зміщенні і симетрична відносно початку координат.
Умовне графічне позначення на схемах.
|