![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Устройство и типы биполярных транзисторов
Биполярный транзистор (трехэлектродный полупроводниковый прибор) обычно представляет собой монокристалл германия или кремния, в котором созданы два встречно расположенных p-n перехода. Структура и эквивалентные электрические схемы плоскостных биполярных транзисторов приведены на рис.4.
Транзистор состоит из эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К). В плоскостном транзисторе база, являющаяся средней частью, по характеру проводимости отличается от крайних частей (эмиттера и коллектора). Первый p-n переход (ЭБ) называется эмиттерным, а второй (БК) – коллекторным. Эмиттер играет роль, аналогичную роли катода в электронной лампе, коллектор – анода, а база – управляющей сетки. Для подключения транзистора имеется три вывода. Источники питания присоединяются к транзистору таким образом, чтобы эмиттерный переход включался в прямом (пропускном) направлении, а коллектор – в обратном (запорном) (рис.5). Толщина базы составляет порядка 40-50 мкм, эмиттерная область легирована достаточно сильно, поскольку концентрация основных носителей в эмиттере должна быть во много раз выше, чем в базе.
|