Параметры биполярных транзисторов

Параметрами транзисторов являются:

а) предельно допустимые эксплуатационные данные: наибольшее значе­ние тока эмиттера (I_Э), ток коллектора (I_К), напряжение коллектор-база (U_КБ), напряжение коллектор-эмиттер (U_КЭ), обратное напряжение эмит­тер-база (U_ЭБ), общая мощность, рассеиваемая прибором (P);

б) электрические данные: h -параметры – (h ₁₁–входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе по переменной составляю­щей; h ₁₂ – коэффициент обратной связи при холостом ходе на входе транзистора; h ₂₁ – коэффициент передачи тока при короткозамкнутом выходе; h ₂₂ – выходная проводимость транзистора при холостом ходе на выходе); емкость коллекторного перехода; граничная частота усиления по току (f); обратный ток коллекторного перехода (I_КО) при заданном напряжении коллектора. Для схемы с общей базой принято обозначать параметр h₂₁ через α, а в схеме с ОБ – через β. Связь между ними определяется соотношением:

Параметры транзисторов сильно зависят от температуры, причем ра­бо­чий температурный диапазон для германиевых транзисторов лежит в пределах (-60 ÷ +60 ^оС), а для кремниевых – (-60 ÷ +125 ^оС). Нужно иметь в виду, что при снятии статических характеристик транзисторы могут сильно разогреваться, при этом их характеристики перестают соот­ветствовать действительности. Именно по этой причине характеристики обычно снимают в динамическом режиме, т.е. на переменном токе, когда удается обеспечить нормальный тепловой режим работы транзистора даже в области больших значений токов и напряжений.