Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Цель работы. ⇐ ПредыдущаяСтр 9 из 9
Изучение устройства, принципа действия, типов и схем включения полевого транзистора. Измерение входных и выходных характеристик транзистора в статическом режиме. Приборы и принадлежности: лабораторный стенд. Порядок выполнения работы 1. Ознакомиться с порядком выполнения работы (смотри " Дополнение к лабораторной работе №1П", которое находится на рабочем месте). 2. Снять и построить семейство выходных характеристик МДП-транзистора Ic = f(UCИ) |UЗИ= const при прямом и обратном включении. Набор значений U3И, указан в " Дополнении к лабораторной работе № 1П". 3. По крутому участку ВАХ оценить внутреннее или дина-мическое сопротивление Ri транзистора, исходя из формулы 4. Из полученного набора ВАХ определить тип исследованного МДП-транзистора (с индуцированным или встроенным каналом).
Внимание: Строго придерживаться указаний по ходу выполнения лабораторной работы, изложенных в " Дополнении к лабораторной работе № 1П ", находящемуся на рабочем месте. Контрольные вопросы 1. Какие разновидности полевых транзисторов существуют? 2. Как происходит управление током стока в полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом? 3. Какие физические факторы могут влиять на характер зависимости тока стока от напряжения сток-исток полевого транзистора с управляющим переходом? 4. Какими физическими явлениями, происходящими в полевом транзисторе, ограничивается диапазон рабочих частот этого прибора? 5. Какие физические явления лежат в основе работы полевых транзисторов? 6. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами? Как это отличие отражается на статических характеристиках передачи? 7. Каковы основные достоинства различных типов полевых транзисторов? Литература 1. Лебедев А.Ю. Физика полупроводниковых приборов. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 488 с. 2. Бобров И.И. Физические основы электроники: Учеб. пособие. Перм. гос. тех. ун-т. – Пермь, 2003.- 158 с. 3. Толмачев В.В., Скрипник Ф.В. Физические основы электроники. / В.В. Толмачев, Ф.В. Скрипник – М.: Ижевск, НИЦ " Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований, 2009. – 464 с.
Составители Максимов С.М., Ершов И.В.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
Корректор Т.В. Колесникова Компьютерная обработка: С.Ю. Матузова
____________________________________________________________ В печать 30.07.2014. Объём 1, 9 усл. п. л. Формат 60х84/16. Заказ №. Тираж 60 экз. Цена свободная ____________________________________________________________ Издательский центр ДГТУ Адрес университета и полиграфического предприятия:
|