![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Метод фотолитографии
Фотолитография – совокупность фотохимических процессов, позволяющая получить на поверхности пластины микроизображения, повторяющие отдельные элементы интегральной схемы. Основной рабочий инструмент – фотошаблон, а для формирования фоторезистивного слоя применяются фоторезисты. Контактная фотолитография Метод применяется при изготовлении топологически сложных тонкоплёночных структур или схем с большим количеством элементов. Фотолитографией формируются резисторы, индуктивности, внутрисхемные соединения и контактные площадки. Сначала изготавливается фотооригинал: чёрно-белое или другое контрастное изображение в увеличенном масштабе. Обычно фотооригинал вычерчивается тушью в масштабе 1000: 1 в позитивном изображении. После этого изготавливают фотошаблон - рисунок в масштабе 1: 1 на плёнке или пластине путём перефотографирования фотооригинала. Затем на поверхность пластины наносят фоторезист - светоточувствительное многокомпонентное вещество, устойчивое после проявления к воздействию агрессивных сред. В негативном методе фоторезист под действием УФ облучения полимеризуется и становится устойчивым к травителям, в позитивном методе будут вытравливаться засвеченные участки. Технология контактного фотолитографического процесса: 1. Очистка поверхности платы; 2. Нанесение фоторезиста; 3. Сушка; 4. Совмещение фотошаблона с подложкой; 5. Экспонирование УФ облучением; 6. Проявление; 7. Задубливание; 8. Травление скрытых участков подложки (травитель не должен воздействовать на материал основания); 9. Удаление фоторезиста. Различают одинарную и двойную фотолитографию. Одинарная фотолитография выполняется в сочетании с методом съёмной маски. При двойной фотолитографии сначала напыляют резистивный и проводящий слои, после этого первой фотолитографией формируют конфигурацию проводников и контактных площадок, а затем второй фотолитографией формируют резисторы. Факторы, ограничивающие возможности применения контактной фотолитографии: § Неизбежность механических повреждений рабочих поверхностей фотошаблонов и пластин при их совмещении; § Налипание фоторезиста на фотошаблон; § Неидеальность плоскостности контактируемых поверхностей; § Неизбежность смещения фотошаблона относительно пластины при переходе от совмещения к экспонированию. Бесконтактная фотолитография Фотолитография на микрозазоре: метод основан на использовании эффекта множественного источника излучения. УФ лучи падают на фотошаблон и подложку под углом. За счёт наклона лучей дифракционные явления устраняются, что приводит к повышенной точности рисунка. Проекционная фотолитография: метод отличается техникой выполнения операций совмещения и экспонирования. Изображение фотошаблона проецируется на пластину, покрытую фоторезистом через специальный объектив с высокой разрешающей способностью. При этом отсутствует контакт фотошаблона с фоторезистом. Процесс упрощается, исключается проблема тонкой установки зазора пластина – фотошаблон. Сложность заключается в разработке высокоразрешающих объективов на большие поля изображения.
|