Характеристики и параметры биполярных транзисторов.

Зависимости между токами и напряжениями в транзисторах выражаются статическими характеристиками транзисторов, снятыми при постоянном токе и отсутствии нагрузки в выходной цепи. В транзисторах всегда взаимно связаны четыре величины: i₁, i₂, u₁, u₂- входные и выходные токи и напряжения. Одним семейством характеристик эту зависимость показать нельзя. Необходимо, как минимум, два. Наиболее удобно рассматривать семейство входных характеристик i₁=f(u₁) вместе с семейством выходных характеристик i₂=f(u₂).

Для каждой из трех схем включения транзистора существует свое семейство характеристик.Входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает при прямом напряжении. Поэтому, они аналогичны характеристике для прямого тока диода. Выходные характеристики подобны характеристике для обратного тока диода, т.к. оно отображают свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.

Входные характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ, представляют собой семейство кривых i_б=f(u_бэ) при постоянных выходных напряжениях (u_кэ=const). Характеристика при u_кэ=0 идет из начала координат, так как, если все напряжения равны нулю, нет никакого тока. При u_кэ> 0 характеристика сдвигается вправо, ток базы уменьшается и при малых u_бэ становится отрицательным.

Рис.5.7. Входные характеристики БТ, включенного по схеме ОЭ.

Изменение u_кэ мало влияет на ток базы. Входные характеристики при разных значениях u_кэ расположены очень близко друг к другу. В справочниках поэтому, обычно, приводится лишь одна входная характеристика для рекомендованного значения u_кэ.

Семейство выходных характеристик представляет зависимость i_к=f(u_к) при постоянных токах базы.

Рис.5.8. Выходные характеристики БТ, включенного по схеме ОЭ.

Первая характеристика i_б=0 напоминает обычную характеристику для обратного тока ПП диода. Условие i_б=0 соответствует разомкнутой цепи базы. При этом через весь транзистор от эмиттера к коллектору проходит сквозной ток i_кэ0.

Если i_б> 0, то выходная характеристика расположена выше, и тем выше, чем больше ток базы. Увеличение тока базы означает, что за счет повышения напряжения u_бэ соответственно увеличился ток эмиттера, частью которого является ток базы. Следовательно, пропорционально возрастает и ток коллектора.