Длина диффузии.

Рассмотрим вывод уравнения непрерывности на примере однородного образца полупроводника, в которой наблюдается одномерное изменение концентрации электронов в направлении оси х. Изменения концентраций свободных носителей заряда в полупроводнике связано с их генерацией, рекомбинацией, дрейфовым и диффузионным движениям. С учетом отмеченных допущений уравнение непрерывности имеет вид:

где Lp – диффузионная длина.

Введем следующие граничные условия:

Решение дифференциального уравнения с граничными условиями имеет вид:

Из этого соотношения следует, что диффузионная длина Lp есть среднее расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения (инжекции). Диффузионная длина определяет расстояние от источника избыточной концентрации носителей заряда, на котором избыточная концентрация уменьшается в e раз. Диффузионная длина неосновных носителей заряда является важным электрофизическим параметром полупроводника.