Люминесценция полупроводников.

У полупроводников, находящихся в возбужденном состоянии, может наблюдаться испускание электромагнитного излучения – люминесценция, которая является обратным поглощению. Люминесценция может наблюдаться при возбуждении вещества рентгеновским излучением, под действием электрического поля, в результате механического воздействия и др. При возбуждении полупроводника, создающем электронно-дырочные пары, рекомбинационное излучение может возникнуть при непосредственной рекомбинации свободных электронов и свободных дырок, при аннигиляции экситона, а также при рекомбинации свободных электронов и свободных дырок через рекомбинационные ловушки, которые выступают здесь в качестве центров свечения.

Прямая рекомбинация свободного электрона и свободной дырки с излучением фотона наиболее вероятна, если после процесса релаксации волновые векторы электрона и дырки будут одинаковы (рис. 12.2). В этом случае, как и при соответствующих процессах поглощения, спектр излучения описывается выражением:

где B – постоянная.

При непрямом переходе(рис. 12.4) по аналогии с коэффициентом поглощения спектр излучения описывается выражением:

ОО