![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Выпрямление тока на контакте металла с полупроводником
Если подключить внешнюю батарею, то, создаваемое ею электрическое поле, в зависимости от полярности подключения батареи, будет либо усиливать электрическое поле в контактной области, либо ослаблять его (рис. 4.15).
При этом высота барьера между металлом и полупроводником будет увеличиваться или уменьшаться в зависимости от подаваемого смещения
Толщина слоя объемного заряда в случае, когда приложено внешнее смещение, будет определяться соотношением
В случае приложения к контакту металл-полупроводник внешнего напряжения состояние полупроводника становится неравновесным и концентрация электронов будет определяться квазиуровнем Ферми Fn(x). В глубине полупроводника положение уровня Ферми остается постоянным. Если положения квазиуровня Ферми отсчитывать от дна зоны проводимости, для концентрации электронов можно записать следующие выражения:
Определим теперь плотность тока, текущего через контакт металлом-полупроводник, при различной полярности внешнего напряжения. При подключении прямого смещения к полупроводнику n -типа (минус батареи) контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником уменьшится. В результате снижения потенциального барьера со стороны полупроводника увеличится поток электронов, появится ток термоэлектронной эмиссии:
где Js – плотность тока насыщения, равная:
где Формула (4.34) хорошо описывает вид ВАХ барьера Шоттки (рис. 4.17).
При подключении обратного смещения (минус батареи) контактное поле возрастает, и электроны из полупроводника не в состоянии преодолеть его, поэтому соответствующий ток. уменьшается до нуля. В то же время контактное поле не препятствует потоку электронов из металла (ток Js .), и именно он и определяет обратный ток. Этот ток практически остается постоянным, поскольку высота барьера со стороны металла очень слабо зависит от внешнего смещения. Нами рассмотрен случай контакта электронного полупроводника с металлом, однако диодными характеристиками будет обладать и контакт дырочного полупроводника с металлом. Однако для возникновения барьера необходимо, чтобы работа выхода металла был малой.
|