![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Фотоэлектрические полупроводниковые приборы
В полупроводниковых материалах происходит два вида конкуренции: фотоны могут либо поглощаться, при этом электрон переходит с уровня Е1 на уровень Е2 (на этом процессе основана фотопроводимость), либо излучаться, при этом электрон переходит с уровня Е2 на уровень Е1.
Начальным этапом действия фотоэлектрических полупроводниковых приборов является поглощение квантов излучения и образование свободных носителей заряда в полупроводнике. Появление этих избыточных по отношению к состоянию термодинамического равновесия носителей вызывает повышение удельной проводимости полупроводника. Это явление называется фотопроводимостью. Избыточные электроны При воздействии света полная проводимость полупроводника определяется равновесными носителями заряда
Приращения концентрации свободных носителей Скорость генерации Наиболее простым фотоэлектрическим полупроводниковым прибором, действие которого основано на использовании фотопроводимости, обусловленной собственным поглощением, является собственный фоторезистор (СФР). СФР – прибор для регистрации электромагнитного излучения, принцип действия которого основан на изменении сопротивления за счет возбуждения электронов и дырок при поглощении квантов света с энергией большей или равной ширине запрещенной зоны.
Кроме собственных, существуют примесные ФР, принцип действия которых заключается в возбуждении носителей с примесных центров и приборы, основанные на изменении подвижности из-за образования " горячих" носителей, возникающих при поглощении излучения свободными носителями. Простейший фоторезистор представляет собой тонкий слой однородного полупроводникового материала, заключенный между двумя металлическими невыпрямляющими электродами, являющимися выводами прибора. СФР является пассивным элементом, т.е. для его работы необходима батарея питания VБ. Изменение проводимости СФР фиксируется как изменение напряжения (тока) на нагрузочном сопротивлении (Rн), включенном последовательно с ФП. Rн обычно выбирается равным или большим, чем темновое сопротивление ФР. Частотные характеристики ФР определяются временем фотоответа, определяемым временем пролета носителей tr через ФР: tr=l/ v др где v др –дрейфовая скорость носителей, о ней говорилось в разделе 2. Отношение Фотодиоды (ФД) подобны обычным диодам. Их темновая (в отсутствии падающего излучения) ВАХ определяется выражением (4.40). Спектральная область чувствительности ФД определяется Eg материала. Падающее излучение Общий фототок образуют неосновные носители, генерируемые в квазинейтральных областях и электронно-дырочные пары, генерируемые в самом ОПЗ. ВАХ фотодиода определяется выражением: На рис. 7.3 представлена ВАХ ФД при облучении и прямоугольник максимальной мощности, выделяемой на нагрузке.
Частотные характеристики фотодиода определяются двумя составляющими: временем диффузии носителей до ОПЗ (
где x – расстояние от места генерации неосновных носителей до ОПЗ, Лавинные фотодиоды (ЛФД) – это прибор, принцип действия которого основан на лавинном умножении фототока. Он работают при высоких обратных смещениях, близких к напряжению лавинного умножения. ЛФД изготовляют с pin - структурой, на основе гетероструктур (варизонной структурой, т.е. структурой с плавным изменением химического состава полупроводника), а также на основе барьера Шоттки. ЛФД с варизонной структурой обладают лучшей стабильностью коэффициента умножения при флуктуациях приложенного напряжения. Фотодиоды с барьером Шоттки особенно эффективны в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Для этих спектральных областей коэффициент Фотодиод, работающий в фотовольтаическом режиме, т.е. ВАХ которого находится в четвертом квадранте (рис. 7.3), находит широкое применение как солнечный элемент. Разрабатываются солнечные элементы на основе гомогенных и гетеро- pn- переходов, на барьерах Шоттки и МДП-структурах.
|