![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Элементы микросхем
Элементы полупроводниковых ИС. 1. Биполярные транзисторы – базовый элемент биполярной ИС. Как правило, n-p-n. Могут иметь несколько эмиттеров (многоэмиттерные). Изоляция от остальных элементов: 1) p-n переходом; 2) диэлектрической изоляцией (изопланарные транзисторы).
2. Полупроводниковые диоды – используются эмиттерные или коллекторные переходы транзисторной структуры (обычно Э, а Б и К соединяют). 3. Полупроводниковые конденсаторы – на базе pn –переходов. Работают при закрывающем напряжении. С < = 100 пФ). 4. Резисторы – используются резистивные свойства областей Э (30-70 кОм), Б (10-100 кОм), К (2-100 Ом). 5. Элементы с инжекционным питанием. Ток возникает при вводе в базу (инжекции) избыточных носителей заряда. Для этого имеется специальный электрод – инжектор (генератор тока). 2 режима работы: 1) насыщение (инжекция, транзистор открыт); 2) отсечка (закрыт). Достоинства: 1) большая плотность размещения элементов (инжектор используется на 10…20 элементов) 2) самые экономичные (потребляемая мощность 0, 01…0, 1 мВт) 3) работа переключения мала (1 пДж) (tзадержки× Рпотреб. мощность) 6. МДП – транзисторы применяют с индуцированным и со встроенным каналом (канал n-типа). Достоинства: 1) более технологичны (в 1, 5 раза меньше операций по изготовлению); 2) меньшая площадь. 7. МДП – резисторы – используется сопротивление канала транзистора (> 200 кОм = f(Uзатвора)). 8. МДП – конденсаторы образуются металлическим затвором, подзатворным диэлектриком и сильно легированной областью n+ (С < = 1000 пФ) 9. Комплементарные МДП – транзисторы. Последовательное включение двух МДП – транзисторов с каналами разного типа проводимости. 10. МНОП – транзисторы (+ Н – нитрид кремния)
|