Исследование статических характеристик. Изучить Устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики

И ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Подготовка к работе

2.1. Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.

2.1.2. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.

2.1.3. Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов.

2.1.4. Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.

2.1.5. Типы полупроводниковых диодов, их особенности и характеристики. Применение.

2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1. Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?

2.2.2. Объяснить образование электронно-дырочного перехода.

2.2.3. Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?

2.2.4. Чем определяется толщина p-n перехода?

2.2.5. Нарисовать потенциальную диаграмму p-n перехода при включении его в прямом и обратном направлениях?

2.2.6. Привести классификацию и пояснить систему обозначений полупроводниковых диодов.

2.2.7. Рассказать об особенностях устройства выпрямительных и высокочастотных диодов.

2.2.8. Сравнить теоретическую и реальную вольтамперную характеристики диода.

2.2.9. Сравнить вольтамперные характеристики диодов, изготовленных из Ge, Si и Ga As.

2.2.10. Нарисовать и объяснить характеристику стабилитрона. Показать на ней рабочий участок.

2.2.11. Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики диода для двух различных значений температуры.

2.2.12. Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики диода; указать участки, которые соответствуют состоянию электрического и теплового пробоя.

2.2.13. Перечислить основные параметры полупроводниковых диодов

(номинальные и предельные).

2.2.14. Дать определение дифференциальных параметров и пояснить их физический смысл.

2.2.15. Что такое барьерная и диффузионная емкости диода? Дать определение.

2.2.16. Объяснить принцип действия и особенности применения полупроводниковых диодов различных типов: выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов.

2.2.17. Нарисовать условные обозначения выпрямительных диодов,

стабилитронов, варикапов и схемы их включения.

2.2.18 Какими способами можно увеличить допустимую мощность,

рассеиваемую диодом?

Литература

Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. /Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 11-66.

Электронные приборы. /Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 12-43, 54-88, 97-129.

Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 29-85.

Справочники по полупроводниковым диодам.

Конспект лекций.