Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Задание к работе в лаборатории.
5.1 Выписать из справочника максимально допустимые параметры диодов IПР МАКС, UОБР МАКС, исследуемых в лаборатории, и занести их в таблицы 1 и 2, а также параметры стабилитрона UСТ и IСТ МАКС , которые следует занести в таблицу 3. 5.2. Собрать схему для снятия вольтамперных характеристик диодов при прямом включении (рисунок 1.1). Пределы приборов рV1- в зависимости от типа диодов установить 0, 5¸ 1 B, а pA1 - чтобы не превышал 0, 5× IПР МАКС. 5.3. Последовательно снять вольтамперные характеристики предложенных диодов. Результаты занести в таблицу 1. Пример таблицы приведен ниже.
Таблица 1а. Диод... (Ge) IПР МАКС=... мА
Таблица 1б. Диод... (Si) IПР МАКС=... мА
Таблица 1в. Стабилитрон... (Si) IПР МАКС=... мА
5.4. Собрать схему для снятия вольтамперных характеристик диодов при обратном включении (рисунок 1.2.). Предел миллиамперметра pA1 установить 0, 1 мА, а вольтметра pV1 - чтобы не превышал 0, 5× UОБР МАКС, но не более 50 В. 5.5. Снять вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов, результаты измерений занести в таблицу 2.
Таблица 2а. Диод... UОБР МАКС=... В
Таблица 2б. Диод... UОБР МАКС=... В
5.6. Снять вольтамперную характеристику кремниевого стабилитрона. Для этого предел миллиамперметра pA1 установить 20-50 мА. Результаты занести в таблицу 3. Пример таблицы приведен ниже.
Таблица 3. Стабилитрон... UСТ=... В, IСТ МАКС=... мА
5.7.Исследоать германиевый диод на переменном токе. Для этого собрать схему (рисунок 1.3). 5.8. Зарисовать осциллограммы: а) подводимого переменного напряжения от генератора U(t), б) напряжения на диоде UD(t), в) напряжения на нагрузке UR(t).
Указания к составлению отчета.
Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. Привести параметры, исследуемых диодов, взятые из справочника. Привести таблицы с результатами измерений. На графике №1 построить вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов, используя различный масштаб по осям напряжения и тока для прямого и обратного включений. Рассчитать прямое сопротивление диодов по постоянному току при токе 10 мА и обратное сопротивление при напряжении 10 В. Сравнить сопротивления диодов при прямом и обратном включениях. На графике №2 построить вольтамперные характеристики кремниевого стабилитрона. Указать участок стабилизации. Привести осциллограммы подводимого напряжения, напряжений на диоде и на нагрузке. Осциллограммы строятся одна под другой с соблюдением масштаба времени. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
|