![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Исследование статических характеристик. Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.
И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ p-n ПЕРЕХОДОМ
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом. В работе снимаются передаточные (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур. 2.1.2 Схемы включения ПТ. 2.1.3 Статические характеристики и параметры ПТ. 2.1.4 Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1 Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором. 2.2.2 Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур. 2.2.3 Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором. 2.2.4 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов и структур. 2.2.5 Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ. 2.2.6 Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n». 2.2.7 Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ. 2.2.8 Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры. Литература Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185. Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно). Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно). Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно). Конспект лекций.
Транзисторы, исследуемые в работе
В лабораторном макете предусмотрена возможность исследования полевых транзисторов любого типа и структуры. Конкретный тип исследуемого прибора указывает преподаватель. Для заданного преподавателем типа ПТ пользуясь справочником, выписать предельно-допустимые значения IС МАКС, UСИ МАКС, UЗИ МАКС, PС МАКС. Привести рисунок внешнего вида ПТ с указанием выводов. При установке в макет МДП транзисторов следует соблюдать меры предосторожности с целью исключения пробоя участка затвор-канал статическими зарядами электричества. Для этого перед монтажом производят закоротку выводов транзистора вблизи корпуса специальной перемычкой. После сборки схемы перемычку убирают.
|