![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Тема 5. Полевые транзисторы
Полевыми (униполярными) транзисторами называются полупроводниковые приборы, в которых электрический ток создается основными носителями заряда под действием продольного электрического поля, а управление током (модуляция) осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым на управляющем электроде. Область полупроводникового прибора, по которой протекает управляемый ток, называется каналом. Электрод, через который носители заряда втекают в канал, называется истоком, а электрод, через который они вытекают из канала, называется стоком. Электрод, используемый для управления площадью поперечного сечения канала (током канала), называется затвором. Затвор должен быть электрически изолирован от канала. В зависимости от способа изоляции различают: ПТ с управляющим p-n-переходом; ПТ с изолированным затвором или транзисторы металл – диэлектрик – полупроводник (МДП-транзисторы). В настоящее время широко применяются полевые транзисторы с барьером Шотки (ПТШ), в которых в качестве управляющего перехода используется барьер Шотки. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов, использующие свойства гетероперехода, работают в диапазоне СВЧ. Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа приведена на рис.5.1. На подложке из p-кремния создается тонкий слой полупроводника n-типа, выполняющий функции канала, т.е. токопроводящей области, сопротивление которой регулируется электрическим полем.. Рис.5.1. Устройство ПТ с управляющим p-n-переходом Нижний p-n-переход изолирует канал от подложки и задает начальную толщину канала. Обычно выводы истока и подложки соединяют. Принцип действия ПТ с управляющим p-n-переходом основан на увеличении сопротивления активного слоя (канала) путем расширения p-n-перехода при подаче на него обратного напряжения. Для эффективного управления сопротивлением канала полупроводник, образующий область затвора легирован сильнее (p+), чем области канала (n), при этом расширение обедненного слоя происходит в сторону канала. Наиболее характерной чертой полевых транзисторов является высокое входное сопротивление, т.к. ток затвора мал, поэтому они управляются напряжением. слоями. Рис.5.2. ПТ с управляющим р-п- переходом при Uзи = Uотс.
При При подаче на сток положительного напряжения Вольт амперные характеристики ВАХ ПТ: выходные (стоковые) –
а) б) Рис.5.3. Вольт амперные характеристики ПТ: а) выходные (стоковые) –и б) характеристики передачи (cток-затворные) –
Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы). У полевых транзисторов с изолированным затвором между металлическим затвором и областью полупроводника находится слой диэлектрика – двуокись кремния SiO2. Это отражено и в их названии. Полевые транзисторы с изолированным затвором называются МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или МОП (металл-окисел-полупроводник). Существуют МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналом. В основе действия МДП-транзистора лежит эффект поля, представляющий собой изменение величины и типа электропроводности полупроводника вблизи его границы с диэлектриком под действием приложенного напряжения. Рассмотрим МДП-структуру, изображенную на рис. 5.4.. и содержащую подложку с проводимостью p-типа. .
Рис.5.4. МДП транзистор с индуцированным каналом.
В МДП-транзисторе с индуцированным каналом n-типа (см. рис. 2.25.) при напряжении на затворе При некотором напряжении напряжения затовора, называемом пороговым В справочниках обычно в качестве порогового приводится значение котором ток стока
Рис 5.5. ВАХ МДП транзистора с индуцированным каналом
В МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа, структура которого приведена на рис.5.4., уже при отсутствии внешних напряжений имеется канал, соединяющий области истока и стока. Поэтому при Рис. 5.6 МДП транзистор со встроенным каналом.
При увеличении отрицательного напряжения на затворе канал обедняется, (режим обеднения) и ток стока уменьшается. На рис. 2.28. показаны статические характеристики транзистора со встроенным каналом. Рис 5.7. Статические характеристики МДП транзистора со встроенным каналом. Полевые транзисторы включаются по схемам с общим затвором (ОЗ) (рис. 5.8 а), общим истоком (ОИ) (рис.5.8а, б), общим стоком (ОС) (рис. 5.8, в). Наиболее часто используется схема включения с ОИ. Рис 5.8. схемы включения полевых транзисторов Дифференциальные параметры полевых транзисторов. Основными дифференциальными параметрами полевых транзисторов являются: крутизна Все три параметра связаны выражением Рис.5.9. определение параметров полевых транзисторов Для рабочей точки А (U'си, I'с, U'зи) крутизна и дифференциальное сопротивление определяются следующими выражениями:
В настоящее время широкое распространение получили ПТШ, выполненные из арсенида галлия и работающие на частотах до 30 ГГц, которые используются в малошумящих усилителях СВЧ, усилителях мощности и генераторах.
|