Порядок выполнения работы. Снятие статических характеристик биполярного транзистора

Снятие статических характеристик биполярного транзистора. Определение h-параметров биполярного транзистора.

Цель работы: Снятие и анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Определение h-параметров по характеристикам.

Вопросы для самоподготовки

1. Что такое биполярный транзистор?
2. Из каких материалов изготавливаются транзисторы?
3. Сколько PN-переходов содержит биполярный транзистор?
4. Чем отличаются транзисторы различных типов?
5. Нарисуйте условные графические обозначения транзисторов различных типов. Запишите названия выводов на рисунке.
6. Какие приборы необходимы для снятия характеристик транзистора?
7. Нарисуйте входные и выходные характеристики транзистора. Расскажите о процессах, соответствующих характерным участкам ВАХ.
8. Перечислите основные параметры транзисторов. Охарактеризуйте каждый из них.
9. Как определить h-параметры по характеристикам транзистора.
10. Поясните особенности и область применения биполярных транзисторов.

Порядок выполнения работы

1. Собрать схему исследования транзистора, изображенную на рисунке 1. Для исследования используется транзистор MPS3709 (nationl1), отечественный аналог – КТ3102A.

Рисунок 1 – Схема для исследования биполярного транзистора

2. Построить таблицу для записи результатов измерений (Таблица 1)

Таблица 1 – Данные для построения входных характеристик транзистора

3. Установить на генераторе напряжения G2 напряжение UКЭ1=0 В
4. Изменяя значение тока генератора G1 от 1 до 500 мкА, записать соответствующие значения напряжения UБЭ (вольтметр PV1) в таблицу.
5. Повторить измерения при выходном напряжении UКЭ2=15 В.
6. Построить таблицу для записи результатов измерений (Таблица 2)

Таблица 2 – Данные для построения выходных характеристик транзистора

7. Установить на генераторе тока G1 ток IБ1=100 мкА
8. Изменяя значение напряжения генератора G1 от 0, 1 до 35 В, записать соответствующие значения тока IК (амперметр PА2) в таблицу.
9. Повторить измерения при входных токах IБ2=300 мкА и IБ3=500 мкА.
10. По результатам измерений построить входные и выходные характеристики транзистора.
11. Определить h-параметры транзистора по полученным характеристикам.
12. Сделать вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтвержденных экспериментально в процессе выполнения работы.