![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Покращення характеристик транзисторних ключів (ТК).
Коли транзистор насичений, в ньому є залишкова електрорушійна сила ЕРС. В режимівідсічки транзистор представляє собою генератор струму (рис 2.3).Приблизні значення в режимах відсічки та насичення: езал=1мВ … 100 мкВ rзал=50 …20 Ом Rзт=5…10 Мом Ізал=1…100 мкА Рисунок 2.3. Еквівалентна схема транзисторного ключа
Щоб зменшити залишкову ЕРС застосовується включення 2-х транзисторів (рис 2.3): Дана схема використовує компенсаційне інверсне включення транзисторів для компенсації залишкових ЕРС двох транзисторів і зменшення паразитного проходження струму із кола управління на вихід схеми.
езал=20мВ … 50 мкВ
Rзт=10 МОм
Набір ключів К249КН1 з оптронною розв’язкою та зустрічним включенням p-n-p транзисторів (рис 2.5) має такі характеристики: езал=200 мкВ Rвих=200 Ом Івх=20 мА Uвх=3, 5 B, напруга ізоляції Uізол=150 B, час включення tвкл=10 мкс. Оптронна пара АОТ1011 на базі фототранзисторів (рис 2.6) має напругу ізоляції Uізол=1500 B.
|