Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Расчет ДН МПАР на основе приближенной модели
Настоящий пункт выполняется на основе математической модели, приведенной в разд. 7.2. Исходные данные к расчету: 1. Размеры одиночного элемента 31× 46 мм. 2. Период в Е -плоскости 62 мм. 3. Период в Н -плоскости 71 мм. 4. Толщина диэлектрика 5 мм. 5. Относительная диэлектрическая проницаемость подложки – 1, 05 (пенополиэтилен). Ниже представлены результаты расчета ДН МПА и МПАР на основе приведенных в разд. 7.2 соотношений для синфазной равноамплитудной МПАР той же геометрии, что и исследуемая в данной работе МПАР, но выполненной на подложке с диэлектрической проницаемостью 3 на частоте 2.6 ГГц. 7.4.4. Измерение отношения «вперед/назад» Для этого в режиме измерения ДН ориентировать МПАР на приемную рупорную антенну по максимуму излучения, затем, развернув исследуемую антенну строго на 180°, снять показания с индикаторного блока. 7.4.5. Измерение ДН по кросс поляризации В режиме измерения ДН следует развернуть приемную рупорную антенну вокруг своей продольной оси на 90°, затем снять угловую зависимость ДН аналогично п. 7.4.2. Примечание: Следует иметь в виду, что при выполнении измерений ДН в некоторых направлениях уровень принимаемого сигнала может быть довольно низким (–15…–30 дБ по отношению к главному лепестку). 7.4.6. Расчет характеристик МПАР на основе моделирования Данный пункт выполняется по указанию преподавателя с помощью вспомогательного файла, который находится на ПК, установленном в лаборатории антенн (ауд. 2233), путь к вспомогательному файлу C: \stud\microstrip array\model\9el_array. В модели реализуется следующий подход: вначале проводится электродинамическое моделирование одиночного элемента АР, а затем схемотехническими средствами исследуется частотная зависимость входного КСВ всей МПАР.
|