Классификация и система обозначений биполярных транзисторов

По мощности, рассеиваемой коллекторным переходом, транзисторы бывают: малой мощности P < 0, 3 Вт; средней мощности 0, 3 Вт < P < 1, 5 Вт; большой мощности P > 1, 5 Вт.

По частотному диапазону транзисторы делятся на: низкочастотные < 3 МГц; среднечастотные 3 МГц < < 30 МГц; высокочастотные 30 МГц < < 300 МГц; сверхвысокочастотные > 300 МГц.

Для маркировки биполярных транзисторов используется буквенно-цифровая система условных обозначений согласно ОСТ 11.336.038-77. Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов.

Первый элемент – буква или цифра, указывающая исходный материал: Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – арсенид галлия.

Второй элемент – буква, указывающая на тип транзистора: Т – биполярный, П – полевой.

Третий элемент – цифра, указывающая на частотные свойства и мощность транзистора (табл. 1)

Таблица 1

Четвертый, пятый, (шестой) элементы – цифры, указывающие порядковый номер разработки.

Шестой (седьмой) элемент – буква, указывающая на разновидность транзистора из данной группы. Примеры обозначения транзисторов: КТ315А; КТ806Б; ГТ108А; КТ3126.

Вопрос

Коэффициент инжекции и переноса носителей заряда, коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Активный режим работы, режимы отсечки и насыщения.

1. Коэф-ты инжекции и переноса н.з. Коэф-т передачи тока БПТ.

Основой работы любого транзистора является: 1)малая толщина базы 2)базовая область является всегда более высокоомной(слабо легированной) по сравнению с другими областями.

, - показывает, какую часть составляет полезный ток инжекции электронов из эмиттера в базу в полном токе эмиттера, где IЭР – дырочная компонента эмиттерного тока и IЭN-электронная компонента эмиттерн тока

- показывает какая часть электронов инжектируемых из эмиттера в базу, достигает коллекторн перехода

Iэп значительно меньше чем Iэр. γ =Iэр/(Iэр+Iэп)=Iэр/Iэ. γ -> 0.95 и выше. База всегда электрически нейтральна.

к(каппа)=Iкр/Iэр. Iэ=Iэп+Iэр. Iэр=Iкр+Iбр. α =Iкр/Iэ. α =γ к. Iк=Iкр+Iко=α Iэ+Iко. Iко-ток коллекторного перехода. Iб=Iэп+Iбр-Iко. Iэ=Iк+Iб.

Iб=Iэ-Iк=1-α Iэ-Iко.

Вывод: принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и на управлении выходным (коллекторным) током за счет входного(эмиттерного) т.е. биполярный транзистор управляется током.

Режим отсечки

Когда напряжение база-эмиттер ниже, чем 0.6V - 0.7V, PN-переход между базой и эмиттером закрыт. В таком состоянии у транзистора отсутствует ток базы. В результате тока коллектора тоже не будет, поскольку в базе нет свободных электронов, готовых двигаться в сторону напряжения на коллекторе. Получается, что транзистор как бы заперт, и говорят, что он находится в режиме отсечки.