Режим насыщения

Иногда ток базы может оказаться слишком большим. В результате мощности питания просто не хватит для обеспечения такой величины тока коллектора, которая бы соответствовала коэффициенту усиления транзистора. В режиме насыщения ток коллектора будет максимальным, который может обеспечить источник питания, и не будет зависеть от тока базы. В таком состоянии транзистор не способен усиливать сигнал, поскольку ток коллектора не реагирует на изменения тока базы.

В режиме насыщения проводимость транзистора максимальна, и он больше подходит для функции переключателя (ключа) в состоянии «включен». Аналогично, в режиме отсечки проводимость транзистора минимальна, и это соответствует переключателю в состоянии «выключен».

Рассмотрим активный режим (А):

Uкб< 0

Iко = Iкбо (тепл ток примерно = обр току)

С учетом этих усл формулы имеют вид:

(3.18)

(3.19)

Коллекторное U не влияет на токи, =>, выходные хар-ки явл эквидистантными (расп на один раст)

Рассмотрим режим насыщения (Н):

Хар-ся Iк за счет встречной инжекции НЗ со стороны К в Б. Эти дырки компенс дырки, инжект из эмит в базу, пока не до нуля.

Область насыщения – второй квадрант, т.к. Uкб=Uвнеш + . Если Uвнеш=0, дырки все еще переходят. Когда

Uвнеш = - , т.е. скомп. при изм на «+» знака Uкб.

Рассмотрим режим отсечки (О):

Оба перехода в обр направлении

Iэ = 0 Iк = Iкб: ток коллектора и его хар-ки = ВАХ p-n перехода

В этом режиме сопр-ия очень велики, а токи – малы.

Входная ВАХ:

С Uкб хар-ка, засчет ЭМТБ т.е. I смещается